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Material Type: Artigo
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Variation of crystal structure and optical properties of wurtzite-type oxide semiconductor alloys of β-Cu(Ga,Al)O2Nagatani, Hiraku ; Mizuno, Yuki ; Suzuki, Issei ; Kita, Masao ; Ohashi, Naoki ; Omata, TakahisaJournal of applied physics, 2017-06, Vol.121 (23) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Orientation control of β-NaGaO2 thin film: a precursor for β-CuGaO2 as a thin-film solar cell absorberSUZUKI, Issei ; TANEMURA, Masatoshi ; OMATA, TakahisaJournal of the Ceramic Society of Japan, 2017/12/01, Vol.125(12), pp.872-875 [Periódico revisado por pares]The Ceramic Society of JapanTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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First principles calculations of ternary wurtzite β-CuGaO2Suzuki, Issei ; Nagatani, Hiraku ; Kita, Masao ; Iguchi, Yuki ; Sato, Chiyuki ; Yanagi, Hiroshi ; Ohashi, Naoki ; Omata, TakahisaJournal of applied physics, 2016-03, Vol.119 (9) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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High temperature phases with wurtzite-derived structure in Zn2LiGaO4–ZnO alloy systemKita, Masao ; Fukada, Tomoaki ; Yamaguchi, Shu ; Omata, TakahisaJournal of alloys and compounds, 2016-12, Vol.688, p.69-76 [Periódico revisado por pares]Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Growth of β-NaGaO2 thin films using ultrasonic spray pyrolysisSuzuki, Issei ; Suzuki, Shunichi ; Watanabe, Tatsuya ; Kita, Masao ; Omata, TakahisaJournal of Asian Ceramic Societies, 2022-04, Vol.10 (2), p.520-529 [Periódico revisado por pares]Taylor & FrancisTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Orientation control of β-NaGaO2 thin film: a precursor for β-CuGaO2 as a thin-film solar cell absorberSUZUKI, Issei ; TANEMURA, Masatoshi ; OMATA, TakahisaJournal of the Ceramic Society of Japan, 2017-12, Vol.125 (12), p.872-875 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Flux growth of β-NaGaO2 single crystalsSuzuki, Issei ; Kakinuma, Ayako ; Ueda, Masato ; Omata, TakahisaJournal of crystal growth, 2018-12, Vol.504, p.26-30 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Structure of β-AgGaO2; ternary I–III–VI2 oxide semiconductor with a wurtzite-derived structureNagatani, Hiraku ; Suzuki, Issei ; Kita, Masao ; Tanaka, Masahiko ; Katsuya, Yoshio ; Sakata, Osami ; Omata, TakahisaJournal of solid state chemistry, 2015-02, Vol.222, p.66-70 [Periódico revisado por pares]Elsevier IncTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Multinary wurtzite-type oxide semiconductors: present status and perspectivesSuzuki, Issei ; Omata, TakahisaSemiconductor science and technology, 2017-01, Vol.32 (1), p.13007 [Periódico revisado por pares]IOP PublishingTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Wurtzite-derived ternary I-III-O2 semiconductorsOmata, Takahisa ; Nagatani, Hiraku ; Suzuki, Issei ; Kita, MasaoScience and technology of advanced materials, 2015-04, Vol.16 (2), p.024902-024902 [Periódico revisado por pares]Abingdon: Taylor & FrancisTexto completo disponível |
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