skip to main content
Idioma:
Refinado por: autor: Omata, Takahisa remover assunto: Wurtzite Structure remover nível superior: Revistas revisadas por pares remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Growth of β-NaGaO2 thin films using ultrasonic spray pyrolysis
Growth of β-NaGaO2 thin films using ultrasonic spray pyrolysis
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth of β-NaGaO2 thin films using ultrasonic spray pyrolysis

Suzuki, Issei ; Suzuki, Shunichi ; Watanabe, Tatsuya ; Kita, Masao ; Omata, Takahisa

Journal of Asian Ceramic Societies, 2022-04, Vol.10 (2), p.520-529 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Structure of β-AgGaO2; ternary I–III–VI2 oxide semiconductor with a wurtzite-derived structure
Structure of β-AgGaO2; ternary I–III–VI2 oxide semiconductor with a wurtzite-derived structure
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Structure of β-AgGaO2; ternary I–III–VI2 oxide semiconductor with a wurtzite-derived structure

Nagatani, Hiraku ; Suzuki, Issei ; Kita, Masao ; Tanaka, Masahiko ; Katsuya, Yoshio ; Sakata, Osami ; Omata, Takahisa

Journal of solid state chemistry, 2015-02, Vol.222, p.66-70 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Inc

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Fabrication of β-AgGaO2 thin films by radio frequency magnetron sputtering
Fabrication of β-AgGaO2 thin films by radio frequency magnetron sputtering
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Fabrication of β-AgGaO2 thin films by radio frequency magnetron sputtering

Suzuki, Issei ; Nagatani, Hiraku ; Arima, Yuta ; Kita, Masao ; Omata, Takahisa

Thin solid films, 2014-05, Vol.559, p.112-115 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.