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Investigation of Si/4H-SiC Hetero-Junction Growth and Electrical Properties
Investigation of Si/4H-SiC Hetero-Junction Growth and Electrical Properties
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Investigation of Si/4H-SiC Hetero-Junction Growth and Electrical Properties

Guy, Owen J. ; Pérez-Tomás, Amador ; Jennings, Michael R. ; Lodzinski, Michal ; Castaing, A. ; Mawby, Philip A. ; Covington, James A. ; Wilks, S.P. ; Hammond, R. ; Connolly, D. ; Jones, S. ; Hopkins, J. ; Wilby, T. ; Rimmer, N. ; Baker, K. ; Conway, S. ; Evans, S.

Materials science forum, 2009-01, Vol.615-617, p.443-446 [Periódico revisado por pares]

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2
Electronic structures of silicon doped ZnO
Electronic structures of silicon doped ZnO
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Electronic structures of silicon doped ZnO

Chowdhury, R. ; Rees, P. ; Adhikari, S. ; Scarpa, F. ; Wilks, S.P.

Physica. B, Condensed matter, 2010-04, Vol.405 (8), p.1980-1985 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
STM and XPS characterisation of vacuum annealed nanocrystalline WO3 films
STM and XPS characterisation of vacuum annealed nanocrystalline WO3 films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

STM and XPS characterisation of vacuum annealed nanocrystalline WO3 films

MAFFEIS, T. G. G ; YUNG, D ; LEPENNEC, L ; PENNY, M. W ; COBLEY, R. J ; COMINI, E ; SBERVEGLIERI, G ; WILKS, S. P

Surface science, 2007-11, Vol.601 (21), p.4953-4957 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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4
A highly efficient algorithm for the generation of random fractal aggregates
A highly efficient algorithm for the generation of random fractal aggregates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A highly efficient algorithm for the generation of random fractal aggregates

Brown, M.R. ; Errington, R. ; Rees, P. ; Williams, P.R. ; Wilks, S.P.

Physica. D, 2010-06, Vol.239 (12), p.1061-1066 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Investigation of the 4H–SiC surface
Investigation of the 4H–SiC surface
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Investigation of the 4H–SiC surface

Guy, O.J. ; Lodzinski, M. ; Teng, K.S. ; Maffeis, T.G.G. ; Tan, M. ; Blackwood, I. ; Dunstan, P.R. ; Al-Hartomy, O. ; Wilks, S.P. ; Wilby, T. ; Rimmer, N. ; Lewis, D. ; Hopkins, J.

Applied surface science, 2008-10, Vol.254 (24), p.8098-8105 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Surface defects in semiconductor lasers studied with cross-sectional scanning tunneling microscopy
Surface defects in semiconductor lasers studied with cross-sectional scanning tunneling microscopy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Surface defects in semiconductor lasers studied with cross-sectional scanning tunneling microscopy

Cobley, R.J. ; Teng, K.S. ; Brown, M.R. ; Rees, P. ; Wilks, S.P.

Applied surface science, 2010-07, Vol.256 (19), p.5736-5739 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Study of a novel Si/SiC hetero-junction MOSFET
Study of a novel Si/SiC hetero-junction MOSFET
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of a novel Si/SiC hetero-junction MOSFET

Chen, L. ; Guy, O.J. ; Jennings, M.R. ; Igic, P. ; Wilks, S.P. ; Mawby, P.A.

Solid-state electronics, 2007-05, Vol.51 (5), p.662-666 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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8
X-ray photoelectron spectroscopy studies on the formation of chromium contacts to single-crystal CVD diamond
X-ray photoelectron spectroscopy studies on the formation of chromium contacts to single-crystal CVD diamond
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X-ray photoelectron spectroscopy studies on the formation of chromium contacts to single-crystal CVD diamond

Doneddu, D. ; Guy, O.J. ; Dunstan, P.R. ; Maffeis, T.G.G. ; Teng, K.S. ; Wilks, S.P. ; Igic, P. ; Twitchen, D. ; Clement, R.M.

Surface science, 2008-03, Vol.602 (6), p.1135-1140 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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9
STM and XPS characterisation of vacuum annealed nanocrystalline WO 3 films
STM and XPS characterisation of vacuum annealed nanocrystalline WO 3 films
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

STM and XPS characterisation of vacuum annealed nanocrystalline WO 3 films

Maffeis, T.G.G. ; Yung, D. ; LePennec, L. ; Penny, M.W. ; Cobley, R.J. ; Comini, E. ; Sberveglieri, G. ; Wilks, S.P.

Surface science, 2007, Vol.601 (21), p.4953-4957 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
Investigation of Graphene Growth on 4H-SiC
Investigation of Graphene Growth on 4H-SiC
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of Graphene Growth on 4H-SiC

Castaing, A. ; Guy, Owen J. ; Lodzinski, Michal ; Wilks, S.P.

Materials science forum, 2009-01, Vol.615-617, p.223-226 [Periódico revisado por pares]

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