Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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Ultralow internal optical loss in separate-confinement quantum-well laser heterostructuresSlipchenko, S. O. ; Vinokurov, D. A. ; Pikhtin, N. A. ; Sokolova, Z. N. ; Stankevich, A. L. ; Tarasov, I. S. ; Alferov, Zh. I.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2004-01, Vol.38 (12), p.1430-1439 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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High-power laser diodes based on asymmetric separate-confinement heterostructuresVinokurov, D. A. ; Zorina, S. A. ; Kapitonov, V. A. ; Murashova, A. V. ; Nikolaev, D. N. ; Stankevich, A. L. ; Khomylev, M. A. ; Shamakhov, V. V. ; Leshko, A. Yu ; Lyutetskii, A. V. ; Nalyot, T. A. ; Pikhtin, N. A. ; Slipchenko, S. O. ; Sokolova, Z. N. ; Fetisova, N. V. ; Tarasov, I. S.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005-03, Vol.39 (3), p.370-373 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Infrared reflection spectra of multilayer epitaxial heterostructures with embedded InAs and GaAs layersSeredin, P. V. ; Domashevskaya, É. P. ; Lukin, A. N. ; Arsent’ev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008-09, Vol.42 (9), Article 1055 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Optical and structural properties of ingaasp miscibility-gap solid solutions grown by MOVPE on GaAs(001) substratesVavilova, L. S. ; Vinokurov, D. A. ; Kapitonov, V. A. ; Murashova, A. V. ; Nevedomskii, V. N. ; Poletaev, N. K. ; Sitnikova, A. A. ; Tarasov, I. S. ; Shamakhov, V. V.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-09, Vol.37 (9), p.1080-1084 [Periódico revisado por pares]New York: Springer Nature B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Superstructured ordering in AlxGa1 − xAs and GaxIn1 − xP alloysSeredin, P. V. ; Domashevskaya, P. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Stankevich, A. L. ; Prutskij, T.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013, Vol.47 (1), p.1-6 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (AlxGa1 − xAs1 − yPy)1 − zSiz alloysSeredin, Alloys P. V. ; Glotov, A. V. ; Lenshin, A. S. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Prutskij, Tatiana ; Leiste, Harald ; Rinke, MonicaSemiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014, Vol.48 (1), p.21-29 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Photovoltaic converters based on GaAs and AlGaAs epitaxial layers on GaAs substrates with developed surface areaArsent’ev, I. N. ; Bobyl’, A. V. ; Borkovskaya, O. Yu ; Vinokurov, D. A. ; Dmitruk, N. L. ; Karimov, A. V. ; Klad’ko, V. P. ; Konakova, R. V. ; Konnikov, S. G. ; Mamontova, I. B.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2006-07, Vol.40 (7), p.854-859 [Periódico revisado por pares]New York: Springer Nature B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Properties of epitaxial (AlxGa1 − xAs)1 − yCy alloys grown by MOCVD autoepitaxySeredin, P. V. ; Domashevskaya, E. P. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Stankevich, A. L.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013, Vol.47 (1), p.7-12 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Structural and optical properties of heavily doped AlxGa1 − xAs1 − yPy:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor depositionSeredin, P. V. ; Lenshin, A. S. ; Glotov, A. V. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S. ; Prutskij, T. ; Leiste, H. ; Rinke, M.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014, Vol.48 (8), p.1094-1102 [Periódico revisado por pares]Moscow: Pleiades PublishingTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Structural and spectral features of MOCVD AlxGayIn1 − x − yAszP1 − z/GaAs (100) alloysSeredin, P. V. ; Glotov, A. V. ; Domashevskaya, E. P. ; Lenshin, A. S. ; Smirnov, M. S. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Stankevich, A. L. ; Tarasov, I. S.Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-06, Vol.46 (6), p.719-729 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/InterperiodicaTexto completo disponível |