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Refinado por: Nome da Publicação: Semiconductors remover assunto: Waveguides remover
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AlGaAs/GaAs diode lasers (1020–1100 nm) with an asymmetric broadened single transverse mode waveguide
AlGaAs/GaAs diode lasers (1020–1100 nm) with an asymmetric broadened single transverse mode waveguide
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AlGaAs/GaAs diode lasers (1020–1100 nm) with an asymmetric broadened single transverse mode waveguide

Slipchenko, S. O. ; Podoskin, A. A. ; Vinokurov, D. A. ; Bondarev, A. D. ; Kapitonov, V. A. ; Pikhtin, N. A. ; Kop’ev, P. S. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-08, Vol.47 (8), p.1079-1083 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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850-nm diode lasers based on AlGaAsP/GaAs heterostructures
850-nm diode lasers based on AlGaAsP/GaAs heterostructures
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850-nm diode lasers based on AlGaAsP/GaAs heterostructures

Vinokurov, D. A. ; Kapitonov, V. A. ; Lyutetskiy, A. V. ; Nikolaev, D. N. ; Pikhtin, N. A. ; Slipchenko, S. O. ; Stankevich, A. L. ; Shamakhov, V. V. ; Vavilova, L. S. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-10, Vol.46 (10), p.1321-1325 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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Thermal delocalization of carriers in semiconductor lasers (λ = 1010–1070 nm)
Thermal delocalization of carriers in semiconductor lasers (λ = 1010–1070 nm)
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Thermal delocalization of carriers in semiconductor lasers (λ = 1010–1070 nm)

Shashkin, I. S. ; Vinokurov, D. A. ; Lyutetskiy, A. V. ; Nikolaev, D. N. ; Pikhtin, N. A. ; Rastegaeva, M. G. ; Sokolova, Z. N. ; Slipchenko, S. O. ; Stankevich, A. L. ; Shamakhov, V. V. ; Veselov, D. A. ; Bondarev, A. D. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-09, Vol.46 (9), p.1207-1210 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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4
Temperature dependence of the threshold current density in semiconductor lasers (λ = 1050–1070 nm)
Temperature dependence of the threshold current density in semiconductor lasers (λ = 1050–1070 nm)
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Temperature dependence of the threshold current density in semiconductor lasers (λ = 1050–1070 nm)

Shashkin, I. S. ; Vinokurov, D. A. ; Lyutetskiy, A. V. ; Nikolaev, D. N. ; Pikhtin, N. A. ; Rudova, N. A. ; Sokolova, Z. N. ; Slipchenko, S. O. ; Stankevich, A. L. ; Shamakhov, V. V. ; Veselov, D. A. ; Bakhvalov, K. V. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-09, Vol.46 (9), p.1211-1215 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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Finite time of carrier energy relaxation as a cause of optical-power limitation in semiconductor lasers
Finite time of carrier energy relaxation as a cause of optical-power limitation in semiconductor lasers
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Finite time of carrier energy relaxation as a cause of optical-power limitation in semiconductor lasers

Slipchenko, S. O. ; Sokolova, Z. N. ; Pikhtin, N. A. ; Borschev, K. S. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2006-08, Vol.40 (8), p.990-995 [Periódico revisado por pares]

United States

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Radiative and nonradiative recombination in the active layers of high-power InGaAs/GaAs/AlGaAs laser diodes
Radiative and nonradiative recombination in the active layers of high-power InGaAs/GaAs/AlGaAs laser diodes
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Radiative and nonradiative recombination in the active layers of high-power InGaAs/GaAs/AlGaAs laser diodes

Kabanov, V. V. ; Lebiadok, Ye. V. ; Ryabtsev, G. I. ; Smal, A. S. ; Shchemelev, M. A. ; Vinokurov, D. A. ; Slipchenko, S. O. ; Sokolova, Z. N. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-10, Vol.46 (10), p.1316-1320 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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7
High-order diffraction gratings for high-power semiconductor lasers
High-order diffraction gratings for high-power semiconductor lasers
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High-order diffraction gratings for high-power semiconductor lasers

Vasil’eva, V. V. ; Vinokurov, D. A. ; Zolotarev, V. V. ; Leshko, A. Yu ; Petrunov, A. N. ; Pikhtin, N. A. ; Rastegaeva, M. G. ; Sokolova, Z. N. ; Shashkin, I. S. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-02, Vol.46 (2), p.241-246 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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8
Temperature delocalization of charge carriers in semiconductor lasers
Temperature delocalization of charge carriers in semiconductor lasers
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Temperature delocalization of charge carriers in semiconductor lasers

Slipchenko, S. O. ; Shashkin, I. S. ; Vavilova, L. S. ; Vinokurov, D. A. ; Lyutetskiy, A. V. ; Pikhtin, N. A. ; Podoskin, A. A. ; Stankevich, A. L. ; Fetisova, N. V. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-05, Vol.44 (5), p.661-666 [Periódico revisado por pares]

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Effect of the active region thickness on characteristics of semiconductor lasers based on asymmetric AlGaAs/GaAs/InGaAs heterostructures with broadened waveguide
Effect of the active region thickness on characteristics of semiconductor lasers based on asymmetric AlGaAs/GaAs/InGaAs heterostructures with broadened waveguide
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Effect of the active region thickness on characteristics of semiconductor lasers based on asymmetric AlGaAs/GaAs/InGaAs heterostructures with broadened waveguide

Vinokurov, D. A. ; Vasilyeva, V. V. ; Kapitonov, V. A. ; Lyutetskiy, A. V. ; Nikolaev, D. N. ; Pikhtin, N. A. ; Slipchenko, S. O. ; Stankevich, A. L. ; Shamakhov, V. V. ; Fetisova, N. V. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-02, Vol.44 (2), p.233-237 [Periódico revisado por pares]

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Selection of modes in transverse-mode waveguides for semiconductor lasers based on asymmetric heterostructures
Selection of modes in transverse-mode waveguides for semiconductor lasers based on asymmetric heterostructures
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Selection of modes in transverse-mode waveguides for semiconductor lasers based on asymmetric heterostructures

Slipchenko, S. O. ; Bondarev, A. D. ; Vinokurov, D. A. ; Nikolaev, D. N. ; Fetisova, N. V. ; Sokolova, Z. N. ; Pikhtin, N. A. ; Tarasov, I. S.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-01, Vol.43 (1), p.112-116 [Periódico revisado por pares]

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