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Influence of surface states on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
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Artigo
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Influence of surface states on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors

Jogai, B

Journal of applied physics, 2003-02, Vol.93 (3), p.1631-1635 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics, Inc

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2
Free electron distribution in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
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Artigo
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Free electron distribution in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors

Jogai, B

Journal of applied physics, 2002-03-15, Vol.91 (6), p.3721-3729 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics, Inc

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3
Electromechanical coupling in free-standing AlGaN/GaN planar structures
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Artigo
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Electromechanical coupling in free-standing AlGaN/GaN planar structures

Jogai, B ; Albrecht, J. D ; Pan, E

Journal of applied physics, 2003-11-15, Vol.94 (10), p.6566-6573 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics, Inc

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4
Three-dimensional strain field calculations in coupled InAs/GaAs quantum dots
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Artigo
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Three-dimensional strain field calculations in coupled InAs/GaAs quantum dots

Jogai, B

Journal of applied physics, 2000-11, Vol.88 (9), p.5050-5055 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics, Inc

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5
Three-dimensional strain field calculations in multiple InN/AlN wurtzite quantum dots
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Artigo
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Three-dimensional strain field calculations in multiple InN/AlN wurtzite quantum dots

Jogai, B

Journal of applied physics, 2001-07-15, Vol.90 (2), p.699-704 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

6
Three-dimensional strain field calculations in multiple InN/AIN wurtzite quantum dots
Material Type:
Artigo
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Three-dimensional strain field calculations in multiple InN/AIN wurtzite quantum dots

Jorgai, B

Journal of applied physics, 2001-07-15, Vol.90 (2), p.699 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics, Inc

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7
Fine structure on the green band in ZnO
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Fine structure on the green band in ZnO

Reynolds, D. C ; Look, D. C ; Jogai, B

Journal of applied physics, 2001-06, Vol.89 (11), p.6189-6191 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics, Inc

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8
Absorption coefficient of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model
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Artigo
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Absorption coefficient of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model

Jogai, B

Solid state communications, 2000, Vol.116 (3), p.153-157 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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9
Publisher's Note: "Analysis of dislocation scattering on electron mobility in GaN high electron mobility transistors" [J. Appl. Phys. 93, 10046 (2003)]
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Artigo
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Publisher's Note: "Analysis of dislocation scattering on electron mobility in GaN high electron mobility transistors" [J. Appl. Phys. 93, 10046 (2003)]

Joshi, R P ; Sridhara, V ; Jogai, B ; Shah, P ; del Rosario, R D

Journal of applied physics, 2012-01-19, Vol.111 (2), p.029901-029901-1 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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10
Effective masses of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model
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Effective masses of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model

Jogai, B

Solid state communications, 1998, Vol.107 (7), p.345-348 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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