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1
Micro-Raman Scattering Properties of Highly Oriented AlN Films
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Micro-Raman Scattering Properties of Highly Oriented AlN Films

Liu, Ming S ; Nugent, K. W ; Prawer, S ; Bursill, L. A ; Peng, J. L ; Tong, Y. Z ; Jewsbury, P

International journal of modern physics. B, Condensed matter physics, statistical physics, applied physics, 1998-07-30, Vol.12 (19), p.1963-1974 [Periódico revisado por pares]

World Scientific Publishing Company

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2
Thermo-mechanical solution of film/substrate systems under local thermal load and application to laser lift-off of GaN/sapphire structures
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Thermo-mechanical solution of film/substrate systems under local thermal load and application to laser lift-off of GaN/sapphire structures

Wang, M.Q ; Wang, Y ; Sun, Y.J ; Zhang, G.Y ; Tong, Y.Z ; Duan, H.L

International journal of solids and structures, 2012-06-15, Vol.49 (13), p.1701-1711 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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3
Temperature dependence of Raman scattering in single crystal GaN films
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Temperature dependence of Raman scattering in single crystal GaN films

Liu, Ming S ; Bursill, Les A ; Prawer, S ; Nugent, K. W ; Tong, Y. Z ; Zhang, G. Y

Applied physics letters, 1999-05-24, Vol.74 (21), p.3125-3127 [Periódico revisado por pares]

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4
The origins of double emission peaks in electroluminescence spectrum from InGaN/GaN MQW LED
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The origins of double emission peaks in electroluminescence spectrum from InGaN/GaN MQW LED

Chen, Z.Z ; Liu, P ; Qi, S.L ; Xu, K ; Qin, Z.X ; Tong, Y.Z ; Yu, T.J ; Hu, X.D ; Zhang, G.Y

Journal of crystal growth, 2007, Vol.298, p.731-735 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Study of Ti/Au, Ti/Al/Au, and Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to n-GaN
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Study of Ti/Au, Ti/Al/Au, and Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to n-GaN

Qin, Z.X ; Chen, Z.Z ; Tong, Y.Z ; Ding, X.M ; Hu, X.D ; Yu, T.J ; Zhang, G.Y

Applied Physics A, 2004-03, Vol.78 (5), p.729-731 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag

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6
An approach to determine the chemical composition in InGaN/GaN multiple quantum wells
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An approach to determine the chemical composition in InGaN/GaN multiple quantum wells

Zhou, S.Q ; Wu, M.F ; Hou, L.N ; Yao, S.D ; Ma, H.J ; Nie, R ; Tong, Y.Z ; Yang, Z.J ; Yu, T.J ; Zhang, G.Y

Journal of crystal growth, 2004-03-01, Vol.263 (1-4), p.35-39 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
InGaN/GaN MQW high brightness LED grown by MOCVD
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InGaN/GaN MQW high brightness LED grown by MOCVD

Zhang, G.Y ; Yang, Z.J ; Tong, Y.Z ; Qin, Z.X ; Hu, X.D ; Chen, Z.Z ; Ding, X.M ; Lu, M ; Li, Z.H ; Yu, T.J ; Zhang, L ; Gan, Z.Z ; Zhao, Y ; Yang, C.F

Optical materials, 2003, Vol.23 (1), p.183-186 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Effects of oxidation by O@ plasma on formation of Ni/Au ohmic contact to p-GaN
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Effects of oxidation by O@ plasma on formation of Ni/Au ohmic contact to p-GaN

Z.Z. Chen ; Z.X. Qin ; Y.Z. Tong ; X.D. Hu ; W.L. Zheng ; G.Y. Zhang ; L.S. Yu ; J. Wang ; T.J. Yu ; X.M. Jiang ; Q.J. Jia

Journal of applied physics, 2004-08-15, Vol.96 (4), p.2091 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics, Inc

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9
Effects of oxidation by O2 plasma on formation of Ni∕Au ohmic contact to p-GaN
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Effects of oxidation by O2 plasma on formation of Ni∕Au ohmic contact to p-GaN

Chen, Z. Z ; Qin, Z. X ; Tong, Y. Z ; Hu, X. D ; Yu, T. J ; Yang, Z. J ; Yu, L. S ; Zhang, G. Y ; Zheng, W. L ; Jia, Q. J ; Jiang, X. M

Journal of applied physics, 2004-08-15, Vol.96 (4), p.2091-2094 [Periódico revisado por pares]

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10
Relationship of background carrier concentration and defects in GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
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Relationship of background carrier concentration and defects in GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Zhang, G. Y ; Tong, Y. Z ; Yang, Z. J ; Jin, S. X ; Li, J ; Gan, Z. Z

Applied physics letters, 1997-12-08, Vol.71 (23), p.3376-3378 [Periódico revisado por pares]

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