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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD

Bai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.

Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Citações Citado por
2
(0 0 1) Exchange-coupled FCC/L1 0 FePt bilayers
(0 0 1) Exchange-coupled FCC/L1 0 FePt bilayers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(0 0 1) Exchange-coupled FCC/L1 0 FePt bilayers

Wan, Jun ; Bonder, Michael J. ; Huang, Yunhe ; Hadjipanayis, George C. ; Ni, Chaoying

Journal of magnetism and magnetic materials, 2010, Vol.322 (13), p.1811-1815 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Citações Citado por
3
(0 0 1) Exchange-coupled FCC/L1 sub(0) FePt bilayers
(0 0 1) Exchange-coupled FCC/L1 sub(0) FePt bilayers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(0 0 1) Exchange-coupled FCC/L1 sub(0) FePt bilayers

Wan, Jun ; Bonder, Michael J ; Huang, Yunhe ; Hadjipanayis, George C ; Ni, Chaoying

Journal of magnetism and magnetic materials, 2010-07, Vol.322 (13), p.1811-1815 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)
[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)

Liao, X.Z ; Zou, J ; Cockayne, D.J.H ; Matsumura, S

Ultramicroscopy, 2004, Vol.98 (2), p.239-247 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier B.V

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5
[0001] Compression response at room temperature of single-crystal magnesium
[0001] Compression response at room temperature of single-crystal magnesium
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

[0001] Compression response at room temperature of single-crystal magnesium

Syed, B. ; Geng, J. ; Mishra, R.K. ; Kumar, K.S.

Scripta materialia, 2012-10, Vol.67 (7-8), p.700-703 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects
0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects

Nguyen, Nga T. H. ; Ukaegbu, Ikechi Augustine ; Sangirov, Jamshid ; Cho, Mu Hee ; Lee, Tae Woo ; Park, Hyo Hoon

Microwave and optical technology letters, 2013-10, Vol.55 (10), p.2484-2487 [Periódico revisado por pares]

New York: Blackwell Publishing Ltd

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7
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets

Li, Mujie ; Zhang, Zhongyi ; Xiong, Hailang ; Wang, Linan ; Zhuang, Shuxian ; Argyle, Morris D. ; Tang, Yang ; Yang, Xiaojin ; Chen, Yongmei ; Wan, Pingyu ; Fan, Maohong

ChemElectroChem, 2020-07, Vol.7 (14), p.3089-3097 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: John Wiley & Sons, Inc

Texto completo disponível

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8
0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)
0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)

Li, Qingsong ; Xiao, Dingbang ; Zhou, Xin ; Xu, Yi ; Zhuo, Ming ; Hou, Zhanqiang ; He, Kaixuan ; Zhang, Yongmeng ; Wu, Xuezhong

Microsystems & nanoengineering, 2018-11, Vol.4 (1), p.32-11, Article 32 [Periódico revisado por pares]

England: Springer Nature B.V

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9
0.06%C鋼面上のW-Coメッキ層およびその浸炭層の酸化について
0.06%C鋼面上のW-Coメッキ層およびその浸炭層の酸化について
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.06%C鋼面上のW-Coメッキ層およびその浸炭層の酸化について

山本, 久

日本金属学会誌, 1960, Vol.24(7), pp.421-424 [Periódico revisado por pares]

公益社団法人 日本金属学会

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10
A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications
A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications

Dong, Siwan ; Li, Jiaqi ; Bu, Sen ; Liu, Changxiang ; Tong, Xingyuan

International journal of electronics and communications, 2022-12, Vol.157, p.154420, Article 154420 [Periódico revisado por pares]

Elsevier GmbH

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Deste Autor:

  1. Nascimento, I
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Neste Assunto:

  1. Science & Technology
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