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0.13 μm pattern delineation using KrF excimer laser light
0.13 μm pattern delineation using KrF excimer laser light
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0.13 μm pattern delineation using KrF excimer laser light

IMAI, A ; ASAI, N ; UENO, T ; HASEGAWA, N ; TANAKA, T ; TERASAWA, T ; OKAZAKI, S

Japanese Journal of Applied Physics, 1994-12, Vol.33 (12B), p.6816-6822 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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2
0.15- mu m T-shaped gate MODFETs using BCB as low-k spacer
0.15- mu m T-shaped gate MODFETs using BCB as low-k spacer
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.15- mu m T-shaped gate MODFETs using BCB as low-k spacer

Anda, Y ; Kawashima, K ; Nishitsuji, M ; Tanaka, T

IEICE transactions on electronics, 2001-10, Vol.E84-C (10), p.1323-1327 [Periódico revisado por pares]

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3
0.2 mass%炭素鋼における低温焼戻し脆性と脆性−延性遷移挙動
0.2 mass%炭素鋼における低温焼戻し脆性と脆性−延性遷移挙動
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0.2 mass%炭素鋼における低温焼戻し脆性と脆性−延性遷移挙動

田中, 將己 ; 安井, 隼人 ; 東田, 賢二

鉄と鋼, 2016, Vol.102(6), pp.340-346 [Periódico revisado por pares]

一般社団法人 日本鉄鋼協会

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4
0.2 mu m gate pseudomorphic inverted HEMT for high speed digital ICs
0.2 mu m gate pseudomorphic inverted HEMT for high speed digital ICs
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0.2 mu m gate pseudomorphic inverted HEMT for high speed digital ICs

Tsuji, H. ; Fujishiro, H.I. ; Shikata, M. ; Tanaka, K. ; Nishi, S.

[1991] GaAs IC Symposium Technical Digest, 1991, p.113-116

IEEE

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5
0.25 mu m gate inverted HEMTs for an ultra-high speed DCFL dynamic frequency divider
0.25 mu m gate inverted HEMTs for an ultra-high speed DCFL dynamic frequency divider
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0.25 mu m gate inverted HEMTs for an ultra-high speed DCFL dynamic frequency divider

Saito, T. ; Fujishiro, H.I. ; Ichioka, T. ; Tanaka, K. ; Nishi, S. ; Sano, Y.

11th Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1989, p.117-120

IEEE

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6
0.3-micron Optical Lithography Using A Phase-Shifting Mask
0.3-micron Optical Lithography Using A Phase-Shifting Mask
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.3-micron Optical Lithography Using A Phase-Shifting Mask

Terasawa, Tsuneo ; Hasegawa, Norio ; Kurosaki, Toshiei ; Tanaka, Toshihiko

SPIE 1989

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7
0.35-µm laser-matter interaction experiments at the University of Rochester
0.35-µm laser-matter interaction experiments at the University of Rochester
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.35-µm laser-matter interaction experiments at the University of Rochester

Seka, W. ; Goldman, L. ; Richardson, M. ; Soures, J. ; Yaakobi, B. ; Boehly, T. ; Keck, R. ; Tanaka, K. ; Forsley, K. ; Boni, R. ; Craxton, R. ; Delettrez, J. ; McCrory, R.

IEEE journal of quantum electronics, 1981-12, Vol.17 (12), p.2412-2412 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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8
0.35-mum laser-matter interaction experiments at the University of Rochester
0.35-mum laser-matter interaction experiments at the University of Rochester
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.35-mum laser-matter interaction experiments at the University of Rochester

Goldman, L ; Richardson, M ; Soures, J ; Yaakobi, B ; Boehly, T ; Keck, R ; Tanaka, K ; Forsley, K ; Boni, R ; Craxton, R ; Delettrez, J ; McCrory, R

IEEE journal of quantum electronics, 1981-12, Vol.17 (12), p.2412-2412 [Periódico revisado por pares]

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9
A 0.026mm2 capacitance-to-digital converter for biotelemetry applications using a charge redistribution technique
A 0.026mm2 capacitance-to-digital converter for biotelemetry applications using a charge redistribution technique
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.026mm2 capacitance-to-digital converter for biotelemetry applications using a charge redistribution technique

Tanaka, K. ; Kuramochi, Y. ; Kurashina, T. ; Okada, K. ; Matsuzawa, A.

2007 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, 2007, p.244-247

IEEE

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10
A 0.1 /spl mu/m CMOS with a step channel profile formed by ultra high vacuum CVD and in-situ doped ions
A 0.1 /spl mu/m CMOS with a step channel profile formed by ultra high vacuum CVD and in-situ doped ions
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1 /spl mu/m CMOS with a step channel profile formed by ultra high vacuum CVD and in-situ doped ions

Hori, A. ; Hirai, T. ; Tanaka, M. ; Nakaoka, H. ; Umimoto, H. ; Yasuhira, M.

Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting, 1993, p.909-911

IEEE

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  1. Maeda, S
  2. Tanaka, A
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  1. Science & Technology
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