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1
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system
0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system

BAKER, Dan ; ZHENG, Tammy ; TAKEMOTO, Cliff ; SETHI, Satyendra ; GABRIEL, Calvin ; SCOTT, Greg

SPIE proceedings series, 2000, p.294-304

Bellingham WA: SPIE

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process

Shen, Xiang ; Wang, Yanxin ; Yang, Xiang ; Lu, Liqiang ; Huang, Liang

Journal of materials science. Materials in electronics, 2010-06, Vol.21 (6), p.630-634 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer

Chen, Ja-Hao ; Huang, Chih-Wei

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2018, Vol.24 (1), p.299-304 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
0.4% absolute efficiency gain by novel back contact
0.4% absolute efficiency gain by novel back contact
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.4% absolute efficiency gain by novel back contact

Ehling, C. ; Schubert, M.B. ; Merz, R. ; Müller, J. ; Hlusiak, M. ; Rostan, P.J. ; Werner, J.H.

Solar energy materials and solar cells, 2009-06, Vol.93 (6), p.707-709 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
0.4% absolute efficiency increase for inline-diffused screen-printed multicrystalline silicon wafer solar cells by non-acidic deep emitter etch-back
0.4% absolute efficiency increase for inline-diffused screen-printed multicrystalline silicon wafer solar cells by non-acidic deep emitter etch-back
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.4% absolute efficiency increase for inline-diffused screen-printed multicrystalline silicon wafer solar cells by non-acidic deep emitter etch-back

Basu, Prabir Kanti ; Law, Felix ; Vinodh, Shanmugam ; Kumar, Avishek ; Richter, Paul ; Bottari, Frank ; Hoex, Bram

Solar energy materials and solar cells, 2015-06, Vol.137, p.193-201 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts
0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts

Bychkov, A M ; Stace, T M

Nanotechnology, 2007-05, Vol.18 (18), p.185403-185403 (5) [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
0.4% Efficiency gain by novel texture for String Ribbon solar cells
0.4% Efficiency gain by novel texture for String Ribbon solar cells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.4% Efficiency gain by novel texture for String Ribbon solar cells

Cichoszewski, J. ; Reuter, M. ; Werner, J.H.

Solar energy materials and solar cells, 2012-06, Vol.101, p.1-4 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
0.4% Electrostrain at Low Field in Lead-Free Bi-Based Relaxor Piezoceramics by La Doping
0.4% Electrostrain at Low Field in Lead-Free Bi-Based Relaxor Piezoceramics by La Doping
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.4% Electrostrain at Low Field in Lead-Free Bi-Based Relaxor Piezoceramics by La Doping

Dinh, Thi Hinh ; Han, Hyoung-Su ; Tran, Vu Diem Ngoc ; Le Van, Vinh ; Hung, Nguyen Ba ; Lee, Jae-Shin

Journal of electronic materials, 2020-10, Vol.49 (10), p.6080-6086 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
0.46% unipolar strain in lead-free BNT-BT system modified with Al and Sb
0.46% unipolar strain in lead-free BNT-BT system modified with Al and Sb
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.46% unipolar strain in lead-free BNT-BT system modified with Al and Sb

Li, Liangliang ; Hao, Jigong ; Xu, Zhijun ; Li, Wei ; Chu, Ruiqing

Materials letters, 2016-12, Vol.184, p.152-156 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

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