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Bulk FinFET With Low- \kappa Spacers for Continued Scaling
Bulk FinFET With Low- \kappa Spacers for Continued Scaling
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Bulk FinFET With Low- \kappa Spacers for Continued Scaling

Sachid, Angada B. ; Min-Cheng Chen ; Chenming Hu

IEEE transactions on electron devices, 2017-04, Vol.64 (4), p.1861-1864 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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2
Single β-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si
Single β-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si
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Single β-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si

Xu, Siyuan ; Liu, Lining ; Qu, Guangming ; Zhang, Xingfei ; Jia, Chunyang ; Wu, Songhao ; Ma, Yuanxiao ; Lee, Young Jin ; Wang, Guodong ; Park, Ji-Hyeon ; Zhang, Yiyun ; Yi, Xiaoyan ; Wang, Yeliang ; Li, Jinmin

Applied physics letters, 2022-04, Vol.120 (15) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Two-Dimensional Pattern Formation Using Graphoepitaxy of PS‑b‑PMMA Block Copolymers for Advanced FinFET Device and Circuit Fabrication
Two-Dimensional Pattern Formation Using Graphoepitaxy of PS‑b‑PMMA Block Copolymers for Advanced FinFET Device and Circuit Fabrication
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Two-Dimensional Pattern Formation Using Graphoepitaxy of PS‑b‑PMMA Block Copolymers for Advanced FinFET Device and Circuit Fabrication

Tsai, Hsinyu ; Pitera, Jed W ; Miyazoe, Hiroyuki ; Bangsaruntip, Sarunya ; Engelmann, Sebastian U ; Liu, Chi-Chun ; Cheng, Joy Y ; Bucchignano, James J ; Klaus, David P ; Joseph, Eric A ; Sanders, Daniel P ; Colburn, Matthew E ; Guillorn, Michael A

ACS nano, 2014-05, Vol.8 (5), p.5227-5232 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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4
Fin Shape Impact on FinFET Leakage With Application to Multithreshold and Ultralow-Leakage FinFET Design
Fin Shape Impact on FinFET Leakage With Application to Multithreshold and Ultralow-Leakage FinFET Design
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Fin Shape Impact on FinFET Leakage With Application to Multithreshold and Ultralow-Leakage FinFET Design

Gaynor, Brad D. ; Hassoun, Soha

IEEE transactions on electron devices, 2014-08, Vol.61 (8), p.2738-2744 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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5
(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs
(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs
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(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs

Zhang, Yuhao ; Palacios, Tomas

IEEE transactions on electron devices, 2020-10, Vol.67 (10), p.3960-3971 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
A new characterization model of FinFET self-heating effect based on FinFET characteristic parameter
A new characterization model of FinFET self-heating effect based on FinFET characteristic parameter
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A new characterization model of FinFET self-heating effect based on FinFET characteristic parameter

Wang, Yue ; Liang, Huaguo ; Zhang, Hong ; Li, Danqing ; Lu, Yingchun ; Yi, Maoxiang ; Huang, Zhengfeng

Microelectronic engineering, 2024-04, Vol.287, Article 112155 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits
Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits
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Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits

Saremi, Mehdi ; Afzali-Kusha, Ali ; Mohammadi, Saeed

Microelectronic engineering, 2012-07, Vol.95, p.74-82 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
14-nm FinFET Technology for Analog and RF Applications
14-nm FinFET Technology for Analog and RF Applications
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14-nm FinFET Technology for Analog and RF Applications

Singh, Jagar ; Ciavatti, J. ; Sundaram, K. ; Wong, J. S. ; Bandyopadhyay, A. ; Zhang, X. ; Li, S. ; Bellaouar, A. ; Watts, J. ; Lee, J. G. ; Samavedam, S. B.

IEEE transactions on electron devices, 2018-01, Vol.65 (1), p.31-37 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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9
A 3-D TCAD Framework for NBTI-Part I: Implementation Details and FinFET Channel Material Impact
A 3-D TCAD Framework for NBTI-Part I: Implementation Details and FinFET Channel Material Impact
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A 3-D TCAD Framework for NBTI-Part I: Implementation Details and FinFET Channel Material Impact

Tiwari, Ravi ; Parihar, Narendra ; Thakor, Karansingh ; Wong, Hiu Yung ; Motzny, Steve ; Choi, Munkang ; Moroz, Victor ; Mahapatra, Souvik

IEEE transactions on electron devices, 2019-05, Vol.66 (5), p.2086-2092 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
Comparative analysis of the quantum FinFET and trigate FinFET based on modeling and simulation
Comparative analysis of the quantum FinFET and trigate FinFET based on modeling and simulation
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Comparative analysis of the quantum FinFET and trigate FinFET based on modeling and simulation

Maity, N. P. ; Maity, Reshmi ; Maity, S. ; Baishya, S.

Journal of computational electronics, 2019-06, Vol.18 (2), p.492-499 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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