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Negative contrast IR emitting device based on the carrier contact exclusion
Negative contrast IR emitting device based on the carrier contact exclusion
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Negative contrast IR emitting device based on the carrier contact exclusion

Malyutenko, V K ; Vainberg, V V ; Teslenko, G I ; Malyutenko, O Yu ; Pultorak, J

Semiconductor science and technology, 2003-07, Vol.18 (7), p.697-702 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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2
Recombination Properties of Diode Structures by Study of Thermal Emission Beyond the Fundamental Absorption Band
Recombination Properties of Diode Structures by Study of Thermal Emission Beyond the Fundamental Absorption Band
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Recombination Properties of Diode Structures by Study of Thermal Emission Beyond the Fundamental Absorption Band

Piotrowski, T ; Wegrzecki, M ; Czerwinski, A ; Teslenko, G I ; Malyutenko, O Y ; Malyutenko, V K

Journal of physics. Conference series, 2014-01, Vol.494 (1), p.12012-5 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
The transient exclusion effect in intrinsic semiconductors
The transient exclusion effect in intrinsic semiconductors
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The transient exclusion effect in intrinsic semiconductors

Malyutenko, V K ; Vainberg, V V ; Teslenko, G I ; Malyutenko, O Yu ; Pultorak, J

Semiconductor science and technology, 2002-10, Vol.17 (10), p.1058-1063, Article 1058 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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4
IR study of exclusion-accumulation effects enhanced by the geometrical factor
IR study of exclusion-accumulation effects enhanced by the geometrical factor
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IR study of exclusion-accumulation effects enhanced by the geometrical factor

Malyutenko, V K ; Teslenko, G I ; Vainberg, V V ; Piotrowski, T ; Pultorak, J

Semiconductor science and technology, 2000-11, Vol.15 (11), p.1054-1060 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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5
Accumulation and exclusion of excess carriers observed in inhomogeneous germanium samples
Accumulation and exclusion of excess carriers observed in inhomogeneous germanium samples
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Accumulation and exclusion of excess carriers observed in inhomogeneous germanium samples

Teslenko, G I ; Piotrowski, T ; Pultorak, J

Semiconductor science and technology, 1996-01, Vol.11 (1), p.L133-134, Article 133 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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6
Uzbekska︠i︡a SSR: VIII period 1956-1960
Uzbekska︠i︡a SSR: VIII period 1956-1960
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Uzbekska︠i︡a SSR: VIII period 1956-1960

Lordkipanidze, L. N ; Teslenko, G. I ; Khamrabaev, I. Kh

Tashkent: Izd-vo "Fan" Uzbekskoĭ SSR 1971

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7
Negative Differential Photoconductivity in Magnetoconcentration Effect
Negative Differential Photoconductivity in Magnetoconcentration Effect
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Negative Differential Photoconductivity in Magnetoconcentration Effect

Malyutenko, V. K. ; Malozovskii, Yu. M. ; Teslenko, G. I.

Physica status solidi. A, Applied research, 1984-01, Vol.81 (1), p.391-398

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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8
Charge-carrier exclusion and accumulation intensified by ohmic contacts
Charge-carrier exclusion and accumulation intensified by ohmic contacts
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Charge-carrier exclusion and accumulation intensified by ohmic contacts

Malyutenko, V. K. ; Teslenko, G. I. ; Vainberg, V. V.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 1998-05, Vol.32 (5), p.568-571 [Periódico revisado por pares]

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9
Photoconductors under transverse sweep-out conditions
Photoconductors under transverse sweep-out conditions
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Photoconductors under transverse sweep-out conditions

Malyutenko, V.K. ; Teslenko, G.I.

Infrared physics, 1985-01, Vol.25 (1), p.337-342

Elsevier B.V

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10
Thermal emission of semiconductors under nonequilibrium conditions
Thermal emission of semiconductors under nonequilibrium conditions
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Thermal emission of semiconductors under nonequilibrium conditions

Malyutenko, V.K. ; Liptuga, A.I. ; Teslenko, G.I. ; Botte, V.A.

Infrared physics, 1989-05, Vol.29 (2), p.693-700

Elsevier B.V

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