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0-1 Breaks Ground for Colorado Container Plant
0-1 Breaks Ground for Colorado Container Plant
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0-1 Breaks Ground for Colorado Container Plant

American Ceramic Society. American Ceramic Society Bulletin, 2004-07, Vol.83 (7), p.3

Columbus: American Ceramic Society

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0-1 GHz waveguide 10.6 mu m GaAs electrooptic modulator
0-1 GHz waveguide 10.6 mu m GaAs electrooptic modulator
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0-1 GHz waveguide 10.6 mu m GaAs electrooptic modulator

Brown, R.T.

IEEE journal of quantum electronics, 1992-05, Vol.28 (5), p.1349-1352 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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(0?0?1) Co^sub 2^Z filled random Co^sub 2^Z powder: A lightweight and broadband with enhanced electromagnetic wave absorption properties
(0?0?1) Co^sub 2^Z filled random Co^sub 2^Z powder: A lightweight and broadband with enhanced electromagnetic wave absorption properties
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(0?0?1) Co^sub 2^Z filled random Co^sub 2^Z powder: A lightweight and broadband with enhanced electromagnetic wave absorption properties

Yang, Haibo ; Dai, Jingjing ; Liu, Xiao ; Lin, Ying ; Wang, Fen

Materials letters, 2018-02, Vol.212, p.275 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier BV

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4
0.03- mu m gate-length enhancement-mode InAlAs/InGaAs/InP MODFET's with 300 GHz f sub(T) and 2 S/mm extrinsic transconductance
0.03- mu m gate-length enhancement-mode InAlAs/InGaAs/InP MODFET's with 300 GHz f sub(T) and 2 S/mm extrinsic transconductance
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0.03- mu m gate-length enhancement-mode InAlAs/InGaAs/InP MODFET's with 300 GHz f sub(T) and 2 S/mm extrinsic transconductance

Xu, D ; Suemitsu, T ; Osaka, J ; Umeda, Y ; Yamane, Y ; Ishii, Y ; Ishii, T ; Tamamura, T

IEEE electron device letters, 1999-01, Vol.20 (5), p.206-208 [Periódico revisado por pares]

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5
(006)-oriented α-Al2O3 films prepared in CO2–H2 atmosphere by laser chemical vapor deposition using a diode laser
(006)-oriented α-Al2O3 films prepared in CO2–H2 atmosphere by laser chemical vapor deposition using a diode laser
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(006)-oriented α-Al2O3 films prepared in CO2–H2 atmosphere by laser chemical vapor deposition using a diode laser

You, Yu ; Ito, Akihiko ; Tu, Rong ; Goto, Takashi

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2011-08, Vol.176 (13), p.984-989 [Periódico revisado por pares]

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0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
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0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements

Henke, Burton L. ; Smith, Jerel A. ; Attwood, David T.

Journal of applied physics, 1977-05, Vol.48 (5), p.1852-1866 [Periódico revisado por pares]

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7
0.1-10 MeV Neutron Soft Error Rate in Accelerator and Atmospheric Environments
0.1-10 MeV Neutron Soft Error Rate in Accelerator and Atmospheric Environments
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0.1-10 MeV Neutron Soft Error Rate in Accelerator and Atmospheric Environments

Cecchetto, Matteo ; Alia, Ruben Garcia ; Wrobel, Frederic ; Coronetti, Andrea ; Bilko, Kacper ; Lucsanyi, David ; Fiore, Salvatore ; Bazzano, Giulia ; Pirovano, Elisa ; Nolte, Ralf

IEEE transactions on nuclear science, 2021-05, Vol.68 (5), p.873-883 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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8
0.1-42 GHz InP DHBT distributed amplifiers with 35 dB gain and 15 dBm output
0.1-42 GHz InP DHBT distributed amplifiers with 35 dB gain and 15 dBm output
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0.1-42 GHz InP DHBT distributed amplifiers with 35 dB gain and 15 dBm output

Krishnamurthy, K ; Chow, J ; Rodwell, M J W ; Pullela, R

Electronics letters, 2003-10, Vol.39 (22), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: John Wiley & Sons, Inc

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9
0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s
0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s
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0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s

Chao, P C ; Tiberio, R C ; Duh, K-H G ; Smith, P M ; Ballingall, J M ; Lester, L F ; Lee, B R ; Jabra, A ; Gifford, G G

IEEE electron device letters, 1987-10, Vol.8 (10), p.489-491 [Periódico revisado por pares]

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10
0.1-mu m p(+)-GaAs gate HJFET''s fabricated using two-stepdry-etching and selective MOMBE growth techniques
0.1-mu m p(+)-GaAs gate HJFET''s fabricated using two-stepdry-etching and selective MOMBE growth techniques
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0.1-mu m p(+)-GaAs gate HJFET''s fabricated using two-stepdry-etching and selective MOMBE growth techniques

Wada, S ; Furuhata, N ; Tokushima, M ; Fukaishi, M ; Hida, H ; Maeda, T

IEEE transactions on electron devices, 1998-06, Vol.45 (6), p.1183-1189 [Periódico revisado por pares]

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