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GaP-nucleation on exact Si (0 0 1) substrates for III/V device integration
GaP-nucleation on exact Si (0 0 1) substrates for III/V device integration
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GaP-nucleation on exact Si (0 0 1) substrates for III/V device integration

Volz, Kerstin ; Beyer, Andreas ; Witte, Wiebke ; Ohlmann, Jens ; Németh, Igor ; Kunert, Bernardette ; Stolz, Wolfgang

Journal of crystal growth, 2011-01, Vol.315 (1), p.37-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
Room‐temperature laser operation of a (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As W‐type laser diode
Room‐temperature laser operation of a (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As W‐type laser diode
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Room‐temperature laser operation of a (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As W‐type laser diode

Hepp, Thilo ; Lehr, Jannik ; Günkel, Robin ; Maßmeyer, Oliver ; Glowatzki, Johannes ; Ruiz Perez, Antje ; Reinhard, Stefan ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin

Electronics letters, 2022-01, Vol.58 (2), p.70-72 [Periódico revisado por pares]

Wiley

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3
Optical gain in GaAsBi/GaAs quantum well diode lasers
Optical gain in GaAsBi/GaAs quantum well diode lasers
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Optical gain in GaAsBi/GaAs quantum well diode lasers

Marko, Igor P ; Broderick, Christopher A ; Jin, Shirong ; Ludewig, Peter ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin ; Rorison, Judy M ; O'Reilly, Eoin P ; Sweeney, Stephen J

Scientific reports, 2016-07, Vol.6 (1), p.28863-28863, Article 28863 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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4
Pyramidal Structure Formation at the Interface between III/V Semiconductors and Silicon
Pyramidal Structure Formation at the Interface between III/V Semiconductors and Silicon
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Pyramidal Structure Formation at the Interface between III/V Semiconductors and Silicon

Beyer, Andreas ; Stegmüller, Andreas ; Oelerich, Jan O ; Jandieri, Kakhaber ; Werner, Katharina ; Mette, Gerson ; Stolz, Wolfgang ; Baranovskii, Sergei D ; Tonner, Ralf ; Volz, Kerstin

Chemistry of materials, 2016-05, Vol.28 (10), p.3265-3275 [Periódico revisado por pares]

American Chemical Society

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5
Sub-picosecond acoustic pulses at buried GaP/Si interfaces
Sub-picosecond acoustic pulses at buried GaP/Si interfaces
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Sub-picosecond acoustic pulses at buried GaP/Si interfaces

Ishioka, Kunie ; Rustagi, Avinash ; Beyer, Andreas ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin ; Höfer, Ulrich ; Petek, Hrvoje ; Stanton, Christopher J.

Applied physics letters, 2017-08, Vol.111 (6) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Influence of crystal polarity on crystal defects in GaP grown on exact Si (001)
Influence of crystal polarity on crystal defects in GaP grown on exact Si (001)
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Influence of crystal polarity on crystal defects in GaP grown on exact Si (001)

Beyer, Andreas ; Németh, Igor ; Liebich, Sven ; Ohlmann, Jens ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin

Journal of applied physics, 2011-04, Vol.109 (8), p.083529-083529-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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7
GaAs1−xBix/GaNyAs1−y type-II quantum wells: novel strain-balanced heterostructures for GaAs-based near- and mid-infrared photonics
GaAs1−xBix/GaNyAs1−y type-II quantum wells: novel strain-balanced heterostructures for GaAs-based near- and mid-infrared photonics
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GaAs1−xBix/GaNyAs1−y type-II quantum wells: novel strain-balanced heterostructures for GaAs-based near- and mid-infrared photonics

Broderick, Christopher A. ; Jin, Shirong ; Marko, Igor P. ; Hild, Konstanze ; Ludewig, Peter ; Bushell, Zoe L. ; Stolz, Wolfgang ; Rorison, Judy M. ; O’Reilly, Eoin P. ; Volz, Kerstin ; Sweeney, Stephen J.

Scientific reports, 2017-04, Vol.7 (1), p.46371-46371, Article 46371 [Periódico revisado por pares]

London: Nature Publishing Group

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8
High-Power Optically Pumped Semiconductor Laser at 1040 nm
High-Power Optically Pumped Semiconductor Laser at 1040 nm
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High-Power Optically Pumped Semiconductor Laser at 1040 nm

Tsuei-Lian Wang ; Kaneda, Yushi ; Yarborough, J M ; Hader, Jorg ; Moloney, Jerome V ; Chernikov, Alexej ; Chatterjee, Sangam ; Koch, Stephan W ; Kunert, Bernardette ; Stolz, Wolfgang

IEEE photonics technology letters, 2010-05, Vol.22 (9), p.661-663

New York: IEEE

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9
Determination of refractive index and direct bandgap of lattice matched BGaP and (BGa)(AsP) materials on exact oriented silicon
Determination of refractive index and direct bandgap of lattice matched BGaP and (BGa)(AsP) materials on exact oriented silicon
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Determination of refractive index and direct bandgap of lattice matched BGaP and (BGa)(AsP) materials on exact oriented silicon

Volk, Michael ; Stolz, Wolfgang

Journal of applied physics, 2017-12, Vol.122 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
Revealing the Significance of Catalytic and Alkyl Exchange Reactions during GaAs and GaP Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
Revealing the Significance of Catalytic and Alkyl Exchange Reactions during GaAs and GaP Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
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Revealing the Significance of Catalytic and Alkyl Exchange Reactions during GaAs and GaP Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

Maßmeyer, Oliver ; Haust, Johannes ; Hepp, Thilo ; Günkel, Robin ; Glowatzki, Johannes ; von Hänisch, Carsten ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin

ACS omega, 2021-10, Vol.6 (42), p.28229-28241 [Periódico revisado por pares]

American Chemical Society

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