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Materials and devices for electrical engineers and physicists
Materials and devices for electrical engineers and physicists
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Materials and devices for electrical engineers and physicists

Roy A. Colclaser Sherra Diehl-Nagle

New York McGraw-Hill c1985

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Simulation Approach for Modeling Single Event Upsets on Advanced CMOS SRAMS
Simulation Approach for Modeling Single Event Upsets on Advanced CMOS SRAMS
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simulation Approach for Modeling Single Event Upsets on Advanced CMOS SRAMS

Johnson, Richard L. ; Diehl-Nagle, Sherra E. ; Hauser, John R.

IEEE transactions on nuclear science, 1985-12, Vol.32 (6), p.4122-4127 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Transient Radiation Upset Simulations of CMOS Memory Circuits
Transient Radiation Upset Simulations of CMOS Memory Circuits
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Transient Radiation Upset Simulations of CMOS Memory Circuits

Massengill, Lloyd W. ; Diehl-Nagle, Sherra E.

IEEE Trans. Nucl. Sci.; (United States), 1984-01, Vol.31 (6), p.1337-1343 [Periódico revisado por pares]

United States: IEEE

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A New Class of Single Event Soft Errors
A New Class of Single Event Soft Errors
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A New Class of Single Event Soft Errors

Diehl-Nagle, Sherra E.

IEEE transactions on nuclear science, 1984-01, Vol.31 (6), p.1145-1148 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Deste Autor:

  1. Diehl-Nagle, S
  2. Colclaser, R

Neste Assunto:

  1. Engineering, Electrical & Electronic
  2. Engineering
  3. Nuclear Science & Technology
  4. Science & Technology
  5. Technology

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