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Influence of surface states on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
Influence of surface states on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
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Influence of surface states on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors

Jogai, B.

Journal of applied physics, 2003-02, Vol.93 (3), p.1631-1635 [Periódico revisado por pares]

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2
Fine structure on the green band in ZnO
Fine structure on the green band in ZnO
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Fine structure on the green band in ZnO

Reynolds, D. C. ; Look, D. C. ; Jogai, B.

Journal of applied physics, 2001-06, Vol.89 (11), p.6189-6191 [Periódico revisado por pares]

United States: The American Physical Society

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Free electron distribution in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
Free electron distribution in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
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Free electron distribution in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors

Jogai, B.

Journal of applied physics, 2002-03, Vol.91 (6), p.3721-3729 [Periódico revisado por pares]

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4
Three-dimensional strain field calculations in coupled InAs/GaAs quantum dots
Three-dimensional strain field calculations in coupled InAs/GaAs quantum dots
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Three-dimensional strain field calculations in coupled InAs/GaAs quantum dots

Jogai, B.

Journal of applied physics, 2000-11, Vol.88 (9), p.5050-5055 [Periódico revisado por pares]

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5
Effect of electromechanical coupling on the strain in AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors
Effect of electromechanical coupling on the strain in AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors
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Effect of electromechanical coupling on the strain in AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors

Jogai, B. ; Albrecht, J. D. ; Pan, E.

Journal of applied physics, 2003-09, Vol.94 (6), p.3984-3989 [Periódico revisado por pares]

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6
Optically pumped ultraviolet lasing from ZnO
Optically pumped ultraviolet lasing from ZnO
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Optically pumped ultraviolet lasing from ZnO

Reynolds, D.C. ; Look, D.C. ; Jogai, B.

Solid state communications, 1996, Vol.99 (12), p.873-875 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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7
Combined effects of screening and band gap renormalization on the energy of optical transitions in ZnO and GaN
Combined effects of screening and band gap renormalization on the energy of optical transitions in ZnO and GaN
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Combined effects of screening and band gap renormalization on the energy of optical transitions in ZnO and GaN

Reynolds, D. C. ; Look, D. C. ; Jogai, B.

Journal of applied physics, 2000-11, Vol.88 (10), p.5760-5763 [Periódico revisado por pares]

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8
Three-dimensional strain field calculations in multiple InN/AlN wurtzite quantum dots
Three-dimensional strain field calculations in multiple InN/AlN wurtzite quantum dots
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Three-dimensional strain field calculations in multiple InN/AlN wurtzite quantum dots

Jogai, B.

Journal of applied physics, 2001-07, Vol.90 (2), p.699-704 [Periódico revisado por pares]

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Similarities in the bandedge and deep-centre photoluminescence mechanisms of ZnO and GaN
Similarities in the bandedge and deep-centre photoluminescence mechanisms of ZnO and GaN
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Similarities in the bandedge and deep-centre photoluminescence mechanisms of ZnO and GaN

Reynolds, D.C. ; Look, D.C. ; Jogai, B. ; Morkoç, H.

Solid state communications, 1997-03, Vol.101 (9), p.643-646 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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10
Polariton and free-exciton-like photoluminescence in ZnO
Polariton and free-exciton-like photoluminescence in ZnO
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Polariton and free-exciton-like photoluminescence in ZnO

Reynolds, D. C. ; Look, D. C. ; Jogai, B. ; Collins, T. C.

Applied physics letters, 2001-12, Vol.79 (23), p.3794-3796 [Periódico revisado por pares]

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