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Nonvolatile Floating-Gate Memories Based on Stacked Black Phosphorus-Boron Nitride-MoS2 Heterostructures
Nonvolatile Floating-Gate Memories Based on Stacked Black Phosphorus-Boron Nitride-MoS2 Heterostructures
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Nonvolatile Floating-Gate Memories Based on Stacked Black Phosphorus-Boron Nitride-MoS2 Heterostructures

Li, Dong ; Wang, Xiaojuan ; Zhang, Qichong ; Zou, Liping ; Xu, Xiangfan ; Zhang, Zengxing

Advanced functional materials, 2015-12, Vol.25 (47), p.7360-7365 [Periódico revisado por pares]

Blackwell Publishing Ltd

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12
Fully Light‐Controlled Memory and Neuromorphic Computation in Layered Black Phosphorus
Fully Light‐Controlled Memory and Neuromorphic Computation in Layered Black Phosphorus
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Fully Light‐Controlled Memory and Neuromorphic Computation in Layered Black Phosphorus

Ahmed, Taimur ; Tahir, Muhammad ; Low, Mei Xian ; Ren, Yanyun ; Tawfik, Sherif Abdulkader ; Mayes, Edwin L. H. ; Kuriakose, Sruthi ; Nawaz, Shahid ; Spencer, Michelle J. S. ; Chen, Hua ; Bhaskaran, Madhu ; Sriram, Sharath ; Walia, Sumeet

Advanced materials (Weinheim), 2021-03, Vol.33 (10), p.e2004207-n/a [Periódico revisado por pares]

Germany: Wiley Subscription Services, Inc

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13
Floating-Gate Manipulated Graphene-Black Phosphorus Heterojunction for Nonvolatile Ambipolar Schottky Junction Memories, Memory Inverter Circuits, and Logic Rectifiers
Floating-Gate Manipulated Graphene-Black Phosphorus Heterojunction for Nonvolatile Ambipolar Schottky Junction Memories, Memory Inverter Circuits, and Logic Rectifiers
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Floating-Gate Manipulated Graphene-Black Phosphorus Heterojunction for Nonvolatile Ambipolar Schottky Junction Memories, Memory Inverter Circuits, and Logic Rectifiers

Li, Dong ; Chen, Mingyuan ; Zong, Qijun ; Zhang, Zengxing

Nano letters, 2017-10, Vol.17 (10), p.6353-6359 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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14
Insulating interlocked ferroelectric and structural antiphase domain walls in multiferroic YMnO3
Insulating interlocked ferroelectric and structural antiphase domain walls in multiferroic YMnO3
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Insulating interlocked ferroelectric and structural antiphase domain walls in multiferroic YMnO3

Choi, T ; Horibe, Y ; Yi, H T ; Choi, Y J ; Wu, Weida ; Cheong, S-W

Nature materials, 2010-03, Vol.9 (3), p.253-258 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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15
Nucleic acid memory
Nucleic acid memory
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Nucleic acid memory

Zhirnov, Victor ; Zadegan, Reza M ; Sandhu, Gurtej S ; Church, George M ; Hughes, William L

Nature materials, 2016-04, Vol.15 (4), p.366-370 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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16
Anatomy of Ag/Hafnia‐Based Selectors with 1010 Nonlinearity
Anatomy of Ag/Hafnia‐Based Selectors with 1010 Nonlinearity
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Anatomy of Ag/Hafnia‐Based Selectors with 1010 Nonlinearity

Midya, Rivu ; Wang, Zhongrui ; Zhang, Jiaming ; Savel'ev, Sergey E. ; Li, Can ; Rao, Mingyi ; Jang, Moon Hyung ; Joshi, Saumil ; Jiang, Hao ; Lin, Peng ; Norris, Kate ; Ge, Ning ; Wu, Qing ; Barnell, Mark ; Li, Zhiyong ; Xin, Huolin L. ; Williams, R. Stanley ; Xia, Qiangfei ; Yang, J. Joshua

Advanced materials (Weinheim), 2017-03, Vol.29 (12), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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17
Post-CMOS Compatible Aluminum Scandium Nitride/2D Channel Ferroelectric Field-Effect-Transistor Memory
Post-CMOS Compatible Aluminum Scandium Nitride/2D Channel Ferroelectric Field-Effect-Transistor Memory
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Post-CMOS Compatible Aluminum Scandium Nitride/2D Channel Ferroelectric Field-Effect-Transistor Memory

Liu, Xiwen ; Wang, Dixiong ; Kim, Kwan-Ho ; Katti, Keshava ; Zheng, Jeffrey ; Musavigharavi, Pariasadat ; Miao, Jinshui ; Stach, Eric A ; Olsson, Roy H ; Jariwala, Deep

Nano letters, 2021-05, Vol.21 (9), p.3753-3761 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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18
Resistive Switches and Memories from Silicon Oxide
Resistive Switches and Memories from Silicon Oxide
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Resistive Switches and Memories from Silicon Oxide

Yao, Jun ; Sun, Zhengzong ; Zhong, Lin ; Natelson, Douglas ; Tour, James M.

Nano letters, 2010-10, Vol.10 (10), p.4105-4110 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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19
Organic–Inorganic Hybrid Halide Perovskites for Memories, Transistors, and Artificial Synapses
Organic–Inorganic Hybrid Halide Perovskites for Memories, Transistors, and Artificial Synapses
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Organic–Inorganic Hybrid Halide Perovskites for Memories, Transistors, and Artificial Synapses

Choi, Jaeho ; Han, Ji Su ; Hong, Kootak ; Kim, Soo Young ; Jang, Ho Won

Advanced materials (Weinheim), 2018-10, Vol.30 (42), p.e1704002-n/a [Periódico revisado por pares]

Germany: Wiley Subscription Services, Inc

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20
Local Light-Induced Magnetization Using Nanodots and Chiral Molecules
Local Light-Induced Magnetization Using Nanodots and Chiral Molecules
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Local Light-Induced Magnetization Using Nanodots and Chiral Molecules

Ben Dor, Oren ; Morali, Noam ; Yochelis, Shira ; Baczewski, Lech Tomasz ; Paltiel, Yossi

Nano letters, 2014-11, Vol.14 (11), p.6042-6049 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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Deste Autor:

  1. Santos, J
  2. Silva, M
  3. Galindo, M
  4. Marques, M
  5. Santos, F

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  1. Memory
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