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Charge state stability of transition metals in semiconductors negative u
Charge state stability of transition metals in semiconductors negative u
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Charge state stability of transition metals in semiconductors negative u

R. Mota A Fazzio

Hipolito, O; Marques, G E (*); Fazzio, A, Eds Singapore : World Scientific, 1988 Current Topics on Semiconductor Physics

Singapore World Scientific 1988

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2
Absorption of infrared radiation by down-pair and down triad molecules in 'SB'-doped germanium
Absorption of infrared radiation by down-pair and down triad molecules in 'SB'-doped germanium
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Absorption of infrared radiation by down-pair and down triad molecules in 'SB'-doped germanium

S S F A Canuto A Fazzio

Singapura : World Scientific, 1991 Festschrift in Honor of R C Leite

Singapura World Scientific 1991

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3
Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials
Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials

A Fazzio

v.21, p.65-72, 1987 International Journal of Quantum Chemistry Symposia

1987

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4
Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials
Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials

A Fazzio

v.21, p.65-72, 1987 International Journal of Quantum Chemistry Symposia

1987

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5
Ab-initio cluster calculation of hyperfine interactions and total energy surfaces for n in diamond, silicon and germanium
Ab-initio cluster calculation of hyperfine interactions and total energy surfaces for n in diamond, silicon and germanium
Material Type:
Relatório Técnico 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab-initio cluster calculation of hyperfine interactions and total energy surfaces for n in diamond, silicon and germanium

A Fazzio C R M Cunha

São Paulo Ifusp 1991

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6
Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas
Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas

L M R Scolfaro A Fazzio

Hipolito, O; Marques, G E (*); Fazzio, A, Eds Singapore : World Scientific, 1988 Current Topics on Semiconductor Physics

Singapore World Scientific 1988

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7
Propriedades eletrônicas em nanossistemas baseados em nanotubos de carbono e grafeno
Propriedades eletrônicas em nanossistemas baseados em nanotubos de carbono e grafeno
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades eletrônicas em nanossistemas baseados em nanotubos de carbono e grafeno

Kirch, Alexsandro

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2014-03-13

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

8
Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores
Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores

Janotti, Anderson

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1999-12-20

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

9
Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição
Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição

Makiuchi, Nilo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1990-03-28

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

10
Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores
Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores
Material Type:
Tese (Outras) 		Adicionar ao Meu Espaço

Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores

Adalberto Fazzio

1985

Localização: IF - Instituto de Física    (537.622 F287e LD Ex.2 )(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Fazzio, A
  2. Silva, A
  3. Mota, R
  4. Schmidt, T
  5. Miwa, R

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Physical Sciences
  3. Physics
  4. Matéria Condensada
  5. Estrutura Eletrônica

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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