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Propriedades eletrônicas de hetero-estruturas de semicondutores zincblende.

Chitta, Valmir Antonio

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1987-10-27

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Propriedades eletrônicas de hetero-estruturas de semicondutores zincblende.
  • Autor: Chitta, Valmir Antonio
  • Orientador: Marques, Gilmar Eugenio
  • Assuntos: Semicondutores Ii-Iv; Método K.P; Magneto-Óptica; Heteroestruturas Semicondutoras; Estrutura Eletrônica; Ii-Iv Semiconductors; K.P Method; Magneto-Optics; Semiconductor Heterostructures; Electronic Structure
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Utilizou-se um Hamiltoniano KP (6x6) do tipo Kane para, se estudar a estrutura de bandas e níveis de Landau para heteroestruturas de semicondutores zincblende dos grupos III-V e II-VI. Os efeitos do acoplamento entre as bandas de condução e valência, da mistura dos estados da banda de valência, da não-parabolicidade dos níveis, da total degenerescência dos níveis, do warping e das descontinuidades das massas efetivas nas heterointerfaces são levados em conta. Mostrou-se que a interação entre as bandas de condução e valência não pode ser desprezada, mesmo para semicondutores de gap largo, como citado em trabalhos existentes na literatura. Para um estudo sistemático do modelo, utilizou-se um poço quântico de GaAs Ga(Al)As e então aplicou-se o modelo a um sistema de semicondutores semi-magnéticos (poço quântico de CdTe Cd(Mn)Te).
  • DOI: 10.11606/D.54.1987.tde-22052009-131752
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos
  • Data de criação/publicação: 1987-10-27
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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