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High-frequency InGaAs tri-gate MOSFETs with fmax of 400 GHz

Zota, C.B ; Lindelöw, F ; Wernersson, L.-E ; Lind, E

Electronics letters, 2016-10, Vol.52 (22), p.1869-1871 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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