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Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³

Hartmut Richard Glaser 1944- Carlos Américo Morato de Andrade 1935-2006

1973

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FD-3 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³
  • Autor: Hartmut Richard Glaser 1944-
  • Carlos Américo Morato de Andrade 1935-2006
  • Assuntos: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Neste trabalho são estudados processos de deposição e redistribuição de impurezas de boro em silício, etapas fundamentais da tecnologia planar de dispositivos semicondutores. O objetivo deste trabalho é adquirir o conhecimento e a compreensão da sistemática que envolvem os processos de deposição e redistribuição, de tal modo que os mesmos possam ser usados na tecnologia planar. A primeira parte deste trabalho apresenta uma descrição da teoria de difusão, para o caso da deposição, mostrando a solução da equação de difusão para várias condições de contorno, os parâmetros da difusão e a relação entre eles. A segunda parte deste trabalho consiste de uma descrição da teoria da difusão, para o caso da redistribuição, mostrando a solução da equação de difusão para várias condições de contorno, inclusive para o caso da redistribuição com oxidação térmica, e mostrando também, os parâmetros da redistribuição e a relação entre eles.
  • Data de criação/publicação: 1973
  • Formato: 1 v.
  • Idioma: Português

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