Improvement of crystalline quality of epitaxial Si layers by ion-implantation techniques
Lau, S. S. ; Matteson, S. ; Mayer, J. W. ; Revesz, P. ; Gyulai, J. ; Roth, J. ; Sigmon, T. W. ; Cass, T.
Applied physics letters, 1979-01, Vol.34 (1), p.76-78 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível