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Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados

Silva, Marcelo Jacob Da

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1999-12-20

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
  • Autor: Silva, Marcelo Jacob Da
  • Orientador: Quivy, Alain Andre
  • Assuntos: Matéria Condensada; Semicondutores; Condensed Matter; Semiconductors
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Neste trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular de pontos quânticos de InAs/GaAs, bem como sua propriedades ópticas e morfológicas. O método de crescimento, em baixa taxa foi usado para a fabricação de estruturas de pontos quânticos com alturas médias suficientes para a obtenção de resposta óptica nas faixas de 1,3\'mü\'m e 1,5\'mü\'m em temperatura ambiente. O interesse na manufatura desse tipo de amostra decorre do fato de serem estes os comprimento de onda de mínima atenuação de sinal em redes de transmissão por fibras ópticas. O estudo sistemático das etapas envolvidas na evolução de pontos quânticos de superfície no regime de baixa taxa de deposição permitiu entender como tais estruturas, com alturas médias bem maiores que as normalmente obtidas na literatura, puderam ser alcançadas. As condições de crescimento foram otimizadas para a produção de emissões estreitas nas faixas de comprimento de onda
  • DOI: 10.11606/D.43.2017.tde-13032017-121314
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
  • Data de criação/publicação: 1999-12-20
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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