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A study of total series resistance and effective channel length comparing SOI nMOSFET and GC SOI nMOSFET in saturation region

Galba Falce de Almeida João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (20. 2005 Florianópolis)

Claeys, C.; Swart, J. W.; Morimoto, N. I.; Verdonck, P., eds. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005 Pennington : The Electrochemical Society, 2005. Proceedings v. 2005-08

Pennington The Electrochemical Society 2005

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Título:
A study of total series resistance and effective channel length comparing SOI nMOSFET and GC SOI nMOSFET in saturation region
Autor: Galba Falce de Almeida
João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (20. 2005 Florianópolis)
Assuntos: MICROELETRÔNICA
É parte de: Claeys, C.; Swart, J. W.; Morimoto, N. I.; Verdonck, P., eds. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005 Pennington : The Electrochemical Society, 2005. Proceedings v. 2005-08
Editor: Pennington The Electrochemical Society
Data de criação/publicação: 2005
Formato: p. 492-501.
Idioma: Inglês

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A study of total series resistance and effective channel length comparing SOI nMOSFET and GC SOI nMOSFET in saturation region

Galba Falce de Almeida João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (20. 2005 Florianópolis)

Pennington The Electrochemical Society 2005

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