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Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa
Roberto Marconato Richard Louis Anderson
1969
Localização:
EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central
(FT-43 )
e outros locais
(Acessar)
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Título:
Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa
Autor:
Roberto Marconato
Richard Louis Anderson
Assuntos:
DIODOS
Notas:
Tese (Doutorado)
Descrição:
A primeira fase deste trabalho refere-se à fabricação de diodos de túnel de arseneto de gálio. Fabricamos esse tipo de diodo a partir de material tipo p (contaminado com Zn), pelo método de liga (alloy). Utilizando esses dispositivos, refizemos as experiências de Anderson, e os resultados das mesmas foram confirmados. Como a degradação das características tensão-corrente está relacionada com a operação do diodo na região de “corrente de injeção”, procuramos uma “proteção” que não permitisse a degradação de suas características, mas que não impedisse a possibilidade de utilização do dispositivo em circuitos práticos. Verificamos que a colocação de um diodo comum de Si em paralelo com o diodo de túnel de AsGa, efetivamente previne a operação deste, no modo de injeção. Por extrapolação, previmos como sendo da ordem de 105 anos a vida útil provável de um diodo de túnel de arseneto de gálio, “protegido” por uma junção comum de Si, em funcionamento típico e desprezando outras causas e falhas. As teorias existentes sobre a degradação de diodos de túnel de AsGa, envolvem variações nas correntes de tunelamento e de excesso, devidas à criação de defeitos Frenkel. Usando o modelo proposto pelas teorias existentes, concluímos que deve existir uma recuperação das características I-V, após um período de sua degradação. Observamos e, discutindo qualitativamente o problema, caracterizamos essa recuperação.
Data de criação/publicação:
1969
Formato:
77 p.
Idioma:
Português
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