Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs

Regiane Ragi Murilo Araújo Romero

IEEE Transactions on Nanotechnology Piscataway, NJ, USA : IEEE, 2019 v. 18, n. 1, p. 762-769, 2019

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Título:
Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs
Autor: Regiane Ragi
Murilo Araújo Romero
Assuntos: TRANSISTORES; ENGENHARIA ELÉTRICA
É parte de: IEEE Transactions on Nanotechnology Piscataway, NJ, USA : IEEE, 2019 v. 18, n. 1, p. 762-769, 2019
Notas: Disponível em: . Acesso em: 12 set. 2019.
Editor: Piscataway, NJ, USA
Data de criação/publicação: 2019
Formato: p. 762-769.
Idioma: Inglês

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