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Anisotropic transport of two-dimensional electron gas modulated by embedded elongated GaSb/GaAs quantum dots

Li, Guodong ; Jiang, Chao ; Zhu, Qinsheng ; Sakaki, Hiroyuki

Applied Physics Letters, 17 January 2011, Vol.98(3) [Periódico revisado por pares]

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Electric field-induced scatterings in rough quantum wells of AlGaN/GaN high-mobility electronic transistors.(aluminum gallium nitride)(Report)

Dong Ji ; Yanwu Lu ; Bing Liu ; Guangri Jin ; Guipeng Liu ; Qinsheng Zhu ; Zhanguo Wang

Journal of Applied Physics, July 15, 2012, Vol.112(2), p.024515-1-024515-4 [Periódico revisado por pares]

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Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures

Liu, Guipeng ; Wu, Ju ; Lu, Yanwu ; Li, Zhiwei ; Song, Yafeng ; Li, Chengming ; Yang, Shaoyan ; Liu, Xianglin ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Journal of Applied Physics, 15 July 2011, Vol.110(2) [Periódico revisado por pares]

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Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al 2 O 3 /AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors

Ji, Dong ; Liu, Bing ; Lu, Yanwu ; Liu, Guipeng ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Applied Physics Letters, 26 March 2012, Vol.100(13) [Periódico revisado por pares]

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Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al.sub.2O.sub.3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors

Ji, Dong ; Lu, Yanwu ; Liu, Bing ; Liu, Guipeng ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Thin Solid Films, May 1, 2013, Vol.534, p.655(4) [Periódico revisado por pares]

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Short range scattering mechanism of type-II GaSb/GaAs quantum dots on the transport properties of two-dimensional electron gas.(Technical report)

Guodong Li ; Hong Yin ; Qinsheng Zhu ; Hiroyuki Sakaki ; Chao Jiang

Journal of Applied Physics, August 15, 2010, Vol.108(4), p.043702-1-043702-5 [Periódico revisado por pares]

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Calculation of discrepancies in measured valence band offsets of heterojunctions with different crystal polarities

Li, Huijie ; Liu, Xianglin ; Wang, Jianxia ; Jin, Dongdong ; Zhang, Heng ; Yang, Shaoyan ; Liu, Shuman ; Mao, Wei ; Hao, Yue ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Journal of Applied Physics, 01 December 2012, Vol.112(11) [Periódico revisado por pares]

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Two-dimensional electron gas mobility limited by barrier and quantum well thickness fluctuations scattering in Al x Ga 1−x N/GaN multi-quantum wells

Liu, Guipeng ; Wu, Ju ; Lu, Yanwu ; Zhao, Guijuan ; Gu, Chengyan ; Liu, Changbo ; Sang, Ling ; Yang, Shaoyan ; Liu, Xianglin ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Applied Physics Letters, 16 April 2012, Vol.100(16) [Periódico revisado por pares]

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Scattering due to large cluster embedded in quantum wells

Liu, Changbo ; Zhao, Guijuan ; Liu, Guipeng ; Song, Yafeng ; Zhang, Heng ; Jin, Dongdong ; Li, Zhiwei ; Liu, Xianglin ; Yang, Shaoyan ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Applied Physics Letters, 04 February 2013, Vol.102(5) [Periódico revisado por pares]

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Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures

Liu, Guipeng ; Wu, Ju ; Zhao, Guijuan ; Liu, Shuman ; Mao, Wei ; Hao, Yue ; Liu, Changbo ; Yang, Shaoyan ; Liu, Xianglin ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Applied Physics Letters, 20 February 2012, Vol.100(8) [Periódico revisado por pares]

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