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Thermo-mechanical solution of film/substrate systems under local thermal load and application to laser lift-off of GaN/sapphire structures

Wang, M.Q ; Wang, Y ; Sun, Y.J ; Zhang, G.Y ; Tong, Y.Z ; Duan, H.L

International Journal of Solids and Structures, 15 June 2012, Vol.49(13), pp.1701-1711 [Periódico revisado por pares]

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The origins of double emission peaks in electroluminescence spectrum from InGaN/GaN MQW LED.(Author abstract)

Chen, Z. Z. ; Liu, P. ; Qi, S. L. ; Xu, K. ; Qin, Z. X. ; Tong, Y. Z. ; Yu, T. J. ; Hu, X. D. ; Zhang, G. Y.

Journal of Crystal Growth, Jan, 2007, Vol.298, p.731(5) [Periódico revisado por pares]

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Two local vibrational modes related to hydrogen in GaN

Duan, J. Q. ; Zhang, B. R. ; Zhang, Y. X. ; Wang, L. P. ; Qin, G. G. ; Zhang, G. Y. ; Tong, Y. Z. ; Jin, S. X. ; Yang, Z. J. ; Zhang, X. ; Xu, Z. H.

Journal of Applied Physics, Dec 1, 1997, Vol.82(11), p.5745(3) [Periódico revisado por pares]

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Formation and dissolution of microcrystalline graphite in carbon-implanted GaN

Sun, W. H. ; Wang, S. T. ; Zhang, J. C. ; Chen, K. M. ; Qin, G. G. ; Tong, Y. Z. ; Yang, Z. J. ; Zhang, G. Y. ; Pu, Y. M. ; Zhang, Q. L.

Journal of Applied Physics, Nov 15, 2000, Vol.88(10), p.5662(4) [Periódico revisado por pares]

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The origins of double emission peaks in electroluminescence spectrum from InGaN/GaN MQW LED

Chen, Z.Z ; Liu, P ; Qi, S.L ; Xu, K ; Qin, Z.X ; Tong, Y.Z ; Yu, T.J ; Hu, X.D ; Zhang, G.Y

Journal of Crystal Growth, 2007, Vol.298, pp.731-735 [Periódico revisado por pares]

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An approach to determine the chemical composition in InGaN/GaN multiple quantum wells

Zhou, S.Q ; Wu, M.F ; Hou, L.N ; Yao, S.D ; Ma, H.J ; Nie, R ; Tong, Y.Z ; Yang, Z.J ; Yu, T.J ; Zhang, G.Y

Journal of Crystal Growth, 01 March 2004, Vol.263(1-4), pp.35-39 [Periódico revisado por pares]

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Study of photoluminescence and absorption in phase-separation InGaN films

Chen, Z.Z ; Qin, Z.X ; Hu, X.D ; Yu, T.J ; Yang, Z.J ; Tong, Y.Z ; Ding, X.M ; Zhang, G.Y

Physica B: Physics of Condensed Matter, 2004, Vol.344(1), pp.292-296 [Periódico revisado por pares]

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Ohmic contact formation of Ti/Al/Ni/Au to n-GaN by two-step annealing method

Chen, Z.Z ; Qin, Z.X ; Hu, C.Y ; Hu, X.D ; Yu, T.J ; Tong, Y.Z ; Ding, X.M ; Zhang, G.Y

Materials Science & Engineering B, 2004, Vol.111(1), pp.36-39 [Periódico revisado por pares]

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Effect of O 2/CHF 3 plasma treatment on n-type GaN grown on sapphire by MOCVD

Qin, Z.X ; Chen, Z.Z ; Zhang, H.X ; Ding, X.M ; Hu, X.D ; Yu, T.J ; Tong, Y.Z ; Zhang, G.Y

Materials Science in Semiconductor Processing, 2002, Vol.5(6), pp.473-475 [Periódico revisado por pares]

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High-resolution transmission microscope observation of both nanometer crystalline diamond and graphite in C-implanted GaN

Zhang, J.C ; Chen, J ; Sun, W.H ; Chen, K.M ; Tong, Y.Z ; Yang, Z.J ; Zhang, G.Y ; Qin, G.G

Physica B: Physics of Condensed Matter, 2001, Vol.299(1), pp.156-158 [Periódico revisado por pares]

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