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Modeling charge loss in CMOS MAPS exposed to non-ionizing radiation.(complementary metal-oxide-semiconductor)(monolithic active pixel sensors)(Technical report)

Ratti, L. ; Gaioni, L. ; Traversi, G. ; Zucca, S. ; Bettarini, S. ; Morsani, F. ; Rizzo, G. ; Bosisio, L. ; Rashevskaya, I.

IEEE Transactions on Nuclear Science, August, 2013, Vol.60(4), p.2574(9) [Periódico revisado por pares]

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Characterization of bulk damage in CMOS MAPS with deep N-well collecting electrode.(monolithic active pixel sensors)(complementary metal oxide semiconductors)(Technical report)

Zucca, S. ; Ratti, L. ; Traversi, G. ; Bettarini, S. ; Morsani, F. ; Rizzo, G. ; Bosisio, L. ; Rashevskaya, I. ; Cindro, V.

IEEE Transactions on Nuclear Science, August, 2012, Vol.59(4), p.900(8) [Periódico revisado por pares]

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Silicon buried channels for pixel detector cooling.(Report)

Boscardin, M. ; Conci, P. ; Crivellari, M. ; Ronchin, S. ; Bettarini, S. ; Bosi, F.

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A, August 1, 2013, Vol.718, p.297(2) [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Silicon buried channels for pixel detector cooling

Boscardin, M ; Conci, P ; Crivellari, M ; Ronchin, S ; Bettarini, S ; Bosi, F

Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A, 01 August 2013, Vol.718, pp.297-298 [Periódico revisado por pares]

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Quadruple well CMOS MAPS with time-invariant processor exposed to ionizing radiation and neutrons.(Complementary metal oxide semiconductors)(Monolithic active pixel sensors )(Technical report)

Ratti, L. ; Traversi, G. ; Zucca, S. ; Bettarini, S. ; Morsani, F. ; Rizzo, G. ; Bosisio, L. ; Rashevskaya, I.

IEEE Transactions on Nuclear Science, August, 2014, Vol.61(4), p.1763(9) [Periódico revisado por pares]

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CMOS MAPS in a homogeneous 3D process for charged particle tracking.(complementary metal oxide semiconductors)(Technical report)

Manazza, A. ; Gaioni, L. ; Manghisoni, M. ; Re, V. ; Traversi, G. ; Bettarini, S. ; Forti, F. ; Morsani, F. ; Rizzo, G.

IEEE Transactions on Nuclear Science, Feb, 2014, Vol.61(1), p.2041(7) [Periódico revisado por pares]

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Study of the radiation hardness of irradiated AToM front-end chips of the BaBar silicon vertex tracker

Bettarini, S ; Bondioli, M ; Bosisio, L ; Calderini, G ; Dittongo, S ; Forti, F ; Giorgi, M.A

IEEE Transactions on Nuclear Science, April 2006, Vol.53(2), pp.584-588 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Monolithic Pixel Sensors for Fast Silicon Vertex Trackers in a Quadruple Well CMOS Technology

Zucca, S ; Gaioni, L ; Ratti, L ; Re, V ; Traversi, G ; Bettarini, S ; Forti, F ; Morsani, F ; Rizzo, G ; Bosisio, L ; Rashevskaya, I

IEEE Transactions on Nuclear Science, June 2013, Vol.60(3), pp.2343-2351 [Periódico revisado por pares]

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Measurement of the charge collection efficiency after heavy non-uniform irradiation in BABAR silicon detectors

Bettarini, S ; Bondioli, M ; Bosisio, L ; Calderini, G ; Campagnari, C ; Dittongo, S ; Forti, F ; Giorgi, M.A ; Marchiori, G ; Rizzo, G

IEEE Transactions on Nuclear Science, August 2005, Vol.52(4), pp.1054-1060 [Periódico revisado por pares]

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10
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Front-End Performance and Charge Collection Properties of Heavily Irradiated DNW MAPS

Ratti, L ; Manghisoni, M ; Re, V ; Traversi, G ; Zucca, S ; Bettarini, S ; Morsani, F ; Rizzo, G

IEEE Transactions on Nuclear Science, August 2010, Vol.57(4), pp.1781-1789 [Periódico revisado por pares]

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