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1,2-Dimethyl-1,2-diphenyidisilane-1,2-diol and its K, Na, and FeII derivatives. Molecular structure of the all-trans-isomer, 2,3,5,6-tetra-methyl-2,3,5,6-tetraphenyl-1,4-dioxa-2,3,5,6-tetrasilacyclohexane
1,2-Dimethyl-1,2-diphenyidisilane-1,2-diol and its K, Na, and FeII derivatives. Molecular structure of the all-trans-isomer, 2,3,5,6-tetra-methyl-2,3,5,6-tetraphenyl-1,4-dioxa-2,3,5,6-tetrasilacyclohexane
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1,2-Dimethyl-1,2-diphenyidisilane-1,2-diol and its K, Na, and FeII derivatives. Molecular structure of the all-trans-isomer, 2,3,5,6-tetra-methyl-2,3,5,6-tetraphenyl-1,4-dioxa-2,3,5,6-tetrasilacyclohexane

Semenov, Y. V. ; Ladilina, E. Yu. ; Kurskii, Yu. A. ; Khorshev, S. Ya. ; Makarenko, N. P. ; Domrachev, G. A. ; Zakharov, L. N. ; Fukin, G. K. ; Struchkov, Yu. T.

Russian Chemical Bulletin, 10/1996, Vol.45(10), pp.2420-2426 [Periódico revisado por pares]

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1.24 μ m InGaAs/GaAs quantum dot laser grown by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine
1.24 μ m InGaAs/GaAs quantum dot laser grown by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine
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1.24 μ m InGaAs/GaAs quantum dot laser grown by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine

Kaiander, I. N. ; Sellin, R. L. ; Kettler, T. ; Ledentsov, N. N. ; Bimberg, D. ; Zakharov, N. D. ; Werner, P.

Applied Physics Letters, 19 April 2004, Vol.84(16), pp.2992-2994 [Periódico revisado por pares]

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1.3-1.5 μm quantum dot lasers on foreign substrates: growth using defect reduction technique, high-power CW operation, and degradation resistance
1.3-1.5 μm quantum dot lasers on foreign substrates: growth using defect reduction technique, high-power CW operation, and degradation resistance
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1.3-1.5 μm quantum dot lasers on foreign substrates: growth using defect reduction technique, high-power CW operation, and degradation resistance

Ledentsov, N. N ; Kovsh, A. R ; Shchukin, V. A ; Mikhrin, S. S ; Krestnikov, I. L ; Kozhukhov, A. V ; Karachinsky, L. Y ; Maximov, M. V ; Novikov, I. I ; Shernyakov, Yu. M ; Soshnikov, I. P ; Zhukov, A. E ; Musikhin, Yu. G ; Ustinov, V. M ; Zakharov, N. D ; Werner, P ; Kettler, T ; Posilovic, K ; Bimberg, D ; Hu, M ; Nguyen, H. K ; Song, K ; Zah, Chung-En

07 February 2006, Vol.6133, pp.61330S-61330S-12

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1,3-diphenyl-2-azaanthracene and 8-aza-7-phenylbenzo[a]fluoranthene in the diene synthesis
1,3-diphenyl-2-azaanthracene and 8-aza-7-phenylbenzo[a]fluoranthene in the diene synthesis
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1,3-diphenyl-2-azaanthracene and 8-aza-7-phenylbenzo[a]fluoranthene in the diene synthesis

Gorshkova, L. V. ; Zvolinskii, V. P. ; Prostakov, N. S. ; Varlamov, A. V. ; Torres, M. ; Zakharov, V. F.

Chemistry of Heterocyclic Compounds, 12/1980, Vol.16(12), pp.1245-1248 [Periódico revisado por pares]

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5
1.3? micro meter photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure.(Report)
1.3? micro meter photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure.(Report)
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1.3? micro meter photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure.(Report)

Aleshkin, V. Ya. ; Tonkikh, A. A. ; Rumyantsev, V. V. ; Kudryavtsev, K. E. ; Dubinov, A. A. ; Zakharov, N. D. ; Zvonkov, B. N.

Journal of Applied Physics, Jan 28, 2014, Vol.115(4), p.043512 [Periódico revisado por pares]

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6
13C NMR spectra of methyl- and nitro-substituted azafluorenes
13C NMR spectra of methyl- and nitro-substituted azafluorenes
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13C NMR spectra of methyl- and nitro-substituted azafluorenes

Golovtsov, N. I. ; Fomichev, A. A. ; Pleshakov, V. G. ; Zvolinskii, V. P. ; Zakharov, V. Z. ; Prostakov, N. S.

Theoretical and Experimental Chemistry, 1983, Vol.18(3), pp.336-338 [Periódico revisado por pares]

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7
1.3 μm photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure
1.3 μm photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure
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1.3 μm photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure

Aleshkin, V. Ya ; Dubinov, A. A ; Kudryavtsev, K. E ; Rumyantsev, V. V ; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod ; Tonkikh, A. A ; Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, Halle ; Zik Sili-Nano, Martin Luther University Halle-Wittenberg, Karl-Freiherr-Von-Fritsch-Str. 3, Halle ; Zakharov, N. D ; Zvonkov, B. N

Journal of Applied Physics, 28 January 2014, Vol.115(4) [Periódico revisado por pares]

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1.75μm emission from self-organized InAs quantum dots on GaAs
1.75μm emission from self-organized InAs quantum dots on GaAs
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1.75μm emission from self-organized InAs quantum dots on GaAs

Ustinov, V.M. ; Egorov, A.Yu. ; Zhukov, A.E. ; Kovsh, A.R. ; Ledentsov, N.N. ; Maximov, M.V. ; Volovik, B.V. ; Tsatsul'Nikov, A.F. ; Kop'Ev, P.S. ; Alferov, Zh.I. ; Soshnikov, I.P. ; Zakharov, N. ; Werner, P. ; Bimberg, D.

Journal of Crystal Growth, 5/1999, Vol.201-202, C, pp.1143-1145 [Periódico revisado por pares]

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9
20-Gb/s direct modulation of 980 nm VCSELs based on submonolayer deposition of quantum dots
20-Gb/s direct modulation of 980 nm VCSELs based on submonolayer deposition of quantum dots
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20-Gb/s direct modulation of 980 nm VCSELs based on submonolayer deposition of quantum dots

Hopfer, F ; Mutig, A ; Fiol, G ; Kuntz, M ; Mikhrin, S. S ; Krestnikov, I. L ; Livshits, D. A ; Kovsh, A. R ; Bornholdt, C ; Shchukin, V ; Ledentsov, N. N ; Gaysler, V ; Zakharov, N. D ; Werner, P ; Bimberg, D

06 July 2006, Vol.6350, pp.635003-635003-7

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20 Gbit/s error free transmission with ~850 nm GaAs-based vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) containing InAs-GaAs submonolayer quantum dot insertions
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20 Gbit/s error free transmission with ~850 nm GaAs-based vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) containing InAs-GaAs submonolayer quantum dot insertions

Lott, J. A ; Shchukin, V. A ; Ledentsov, N. N ; Stinz, A ; Hopfer, F ; Mutig, A ; Fiol, G ; Bimberg, D ; Blokhin, S. A ; Karachinsky, L. Y ; Novikov, I. I ; Maximov, M. V ; Zakharov, N. D ; Werner, P

16 February 2009, Vol.7211, pp.721114-721114-12

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