Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVDBai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayersManios, E. ; Karanasos, V. ; Niarchos, D. ; Panagiotopoulos, I.Journal of magnetism and magnetic materials, 2004-05, Vol.272, p.2169-2170 [Periódico revisado por pares]Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STMDulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]Lausanne: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel methodGuo, Dongyun ; Ju, Yang ; Fu, Chengju ; Huang, Zhixiong ; Zhang, LianmengMaterials science--Poland, 2016-09, Vol.34 (3), p.555-563 [Periódico revisado por pares]De GruyterTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–MnFeuerbacher, M ; Caillard, DActa materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]Oxford: Elsevier LtdTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvesterKim, Jong-Hyun ; Woo, Jong-Un ; Yee, Yeon-Jeong ; Kim, In-Su ; Shin, Ho-Sung ; Hwang, Hyun-Gyu ; Kweon, Sang Hyo ; Choi, Hyun-Ju ; Nahm, SahnApplied surface science, 2021-01, Vol.537, p.147871, Article 147871 [Periódico revisado por pares]Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layersNihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.06%C鋼面上のW-Coメッキ層およびその浸炭層の酸化について山本, 久日本金属学会誌, 1960, Vol.24(7), pp.421-424 [Periódico revisado por pares]公益社団法人 日本金属学会Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.06%C鋼面上のW-Co鍍金層の構造について吉岡, 正三 ; 山本, 久 ; 星野, 明彦日本金属学会誌, 1959, Vol.23(2), pp.132-134 [Periódico revisado por pares]公益社団法人 日本金属学会Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAsZaknoune, M ; Cordier, Y ; Bollaert, S ; Ferre, D ; Théron, D ; Crosnier, YSolid-state electronics, 2000-09, Vol.44 (9), p.1685-1688 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |