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Design of 2D nanocrystals
Design of 2D nanocrystals
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Design of 2D nanocrystals

Zakharov, V. N. ; Yatsenko, A. V. ; Paseshnichenko, K. A. ; Dunaev, S. F. ; Aslanov, L. A.

Structural chemistry, 2017-02, Vol.28 (1), p.141-146 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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Double stabilization of nanocrystalline silicon: a bonus from solvent
Double stabilization of nanocrystalline silicon: a bonus from solvent
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Double stabilization of nanocrystalline silicon: a bonus from solvent

Kolyagin, Y. G. ; Zakharov, V. N. ; Yatsenko, A. V. ; Paseshnichenko, K. A. ; Savilov, S. V. ; Aslanov, L. A.

Journal of nanoparticle research : an interdisciplinary forum for nanoscale science and technology, 2016, Vol.18 (1), p.1-11, Article 17

Dordrecht: Springer Netherlands

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3
Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature
Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature
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Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature

Lobanov, D. N. ; Novikov, A. V. ; Kudryavtsev, K. E. ; Shengurov, D. V. ; Drozdov, Yu. N. ; Yablonskiy, A. N. ; Shmagin, V. B. ; Krasilnik, Z. F. ; Zakharov, N. D. ; Werner, P.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-03, Vol.43 (3), p.313-317 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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Electroluminescence and photoconductivity of GeSi heterostructures with self-assembled islands in the wavelength range 1.3–1.55 μm
Electroluminescence and photoconductivity of GeSi heterostructures with self-assembled islands in the wavelength range 1.3–1.55 μm
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Electroluminescence and photoconductivity of GeSi heterostructures with self-assembled islands in the wavelength range 1.3–1.55 μm

Lobanov, D.N. ; Novikov, A.V. ; Kudryavtsev, K.E. ; Yablonskiy, A.N. ; Antonov, A.V. ; Drozdov, Yu.N. ; Shengurov, D.V. ; Shmagin, V.B. ; Krasilnik, Z.F. ; Zakharov, N.D. ; Werner, P.

Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2009-05, Vol.41 (6), p.935-938 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
Erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy
Erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy

Sobolev, N.A. ; Denisov, D.V. ; Emel'yanov, A.M. ; Shek, E.I. ; Kryzhkov, D.I. ; Andreev, B.A. ; Krasil'nik, Z.F. ; Vdovin, V.I. ; Vemer, P. ; Zakharov, N.D.

Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004, 2004, Vol.3, p.2387-2390 vol.3

IEEE

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Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix: growth, structure and optical properties
Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix: growth, structure and optical properties
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Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix: growth, structure and optical properties

Cirlin, G.E. ; Polyakov, N.K. ; Petrov, V.N. ; Egorov, V.A. ; Denisov, D.V. ; Volovik, B.V. ; Ustinov, V.M. ; Alferov, Zh.I. ; Ledentsov, N.N. ; Heitz, R. ; Bimberg, D. ; Zakharov, N.D. ; Werner, P. ; Gösele, U.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2001-03, Vol.80 (1), p.108-111 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
Influence of silicon processing in atomic hydrogen on the formation of local molten regions as a result of pulsed irradiation with optical photons
Influence of silicon processing in atomic hydrogen on the formation of local molten regions as a result of pulsed irradiation with optical photons
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Influence of silicon processing in atomic hydrogen on the formation of local molten regions as a result of pulsed irradiation with optical photons

Zakharov, M. V. ; Kagadei, V. A. ; L’vova, T. N. ; Nefedtsev, E. V. ; Oskomov, K. V. ; Proskurovsky, D. I. ; Romanenko, S. V. ; Fattakhov, Ya. V. ; Khaibullin, I. B.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2006-01, Vol.40 (1), p.59-63 [Periódico revisado por pares]

United States

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8
Mechanism of germanium nanoinclusions formation in a silicon matrix during submonolayer MBE
Mechanism of germanium nanoinclusions formation in a silicon matrix during submonolayer MBE
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Mechanism of germanium nanoinclusions formation in a silicon matrix during submonolayer MBE

Cirlin, G.E. ; Zakharov, N.D. ; Egorov, V.A. ; Werner, P. ; Ustinov, V.M. ; Ledentsov, N.N.

Thin solid films, 2003-03, Vol.428 (1), p.156-159 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Nanostructures formed by sub- and close-to-critical Ge inclusions in a Si matrix
Nanostructures formed by sub- and close-to-critical Ge inclusions in a Si matrix
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Nanostructures formed by sub- and close-to-critical Ge inclusions in a Si matrix

Cirlin, George E. ; Talalaev, Vadim G. ; Egorov, Vyatcheslav A. ; Zakharov, Nikolai D. ; Werner, Peter ; Ledentsov, Nikolai N. ; Ustinov, Victor M.

Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2003-04, Vol.17, p.131-133 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
New mechanism of nanosized InAs grains formation on porous silicon surface
New mechanism of nanosized InAs grains formation on porous silicon surface
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New mechanism of nanosized InAs grains formation on porous silicon surface

Leonov, I.A. ; Sokolov, L.V. ; Preobrazhenskii, V.V. ; Semyagin, B.R. ; Putyato, M.A. ; Zakharov, N.D. ; Romanov, S.I. ; Volodin, V.V. ; Kolesnikov, A.V. ; Pchelyakov, O.P.

Proceedings. 3rd Annual Siberian Russian Workshop on Electron Devices and Materials, 2002, Vol.1, p.2 pp.

IEEE

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