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Refinado por: Nome da Publicação: Solid State Communications remover data de publicação: 1997Até2003 remover
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A photoacoustic spectroscopic investigation of the optical energy gap in Zn–Mn–Se type dilute magnetic semiconductors

Ghosh, A.K ; Sarkar, B.K ; Chaudhuri, B.K

Solid State Communications, 1999, Vol.113(1), pp.41-45 [Periódico revisado por pares]

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2
Absorption coefficient of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model
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Absorption coefficient of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model

Jogai, B.

Solid State Communications, 9/2000, Vol.116(3), pp.153-157 [Periódico revisado por pares]

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Accurate mobility and carrier concentration analysis for GaN

Look, D.C ; Sizelove, J.R ; Keller, S ; Wu, Y.F ; Mishra, U.K ; Denbaars, S.P

Solid State Communications, 1997, Vol.102(4), pp.297-300 [Periódico revisado por pares]

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4
Anisotropy of UV-reflectivity in wurtzite crystals: a comparison between GaN and CdSe
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Anisotropy of UV-reflectivity in wurtzite crystals: a comparison between GaN and CdSe

Lambrecht, Walter R.L ; Prikhodko, Margarita

Solid State Communications, 3/2002, Vol.121(9-10), pp.549-554 [Periódico revisado por pares]

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Dependence on Al concentration of the optical phonons of Al xGa 1− xN films

Liu, Ming S ; Tong, Y.Z ; Bursill, Les A ; Prawer, S ; Nugent, K.W ; Zhang, G.Y

Solid State Communications, 1998, Vol.108(10), pp.765-768 [Periódico revisado por pares]

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6
Dielectric function of wurtzite GaN and AlN thin films
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Dielectric function of wurtzite GaN and AlN thin films

Benedict, L.X. ; Wethkamp, T. ; Wilmers, K. ; Cobet, C. ; Esser, N. ; Shirley, E.L. ; Richter, W. ; Cardona, M.

Solid State Communications, 9/1999, Vol.112(3), pp.129-133 [Periódico revisado por pares]

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7
Difference in optical bandgap between zinc-blende and wurtzite ZnO structure formed on sapphire (0001) substrate
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Difference in optical bandgap between zinc-blende and wurtzite ZnO structure formed on sapphire (0001) substrate

Lee, G.H ; Kawazoe, T ; Ohtsu, M

Solid State Communications, 10/2002, Vol.124(5-6), pp.163-165 [Periódico revisado por pares]

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8
Effect of hydrostatic strain on the band gap of wurtzite GaN
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Effect of hydrostatic strain on the band gap of wurtzite GaN

Jogai, B.

Solid State Communications, 2/1998, Vol.105(7), pp.465-468 [Periódico revisado por pares]

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9
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Effect of isotopic mass on the photoluminescence spectra of zinc oxide

Manjón, F.J ; Mollar, M ; Hernández-Fenollosa, M.A ; Marı́, B ; Lauck, R ; Cardona, M

Solid State Communications, 2003, Vol.128(1), pp.35-39 [Periódico revisado por pares]

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10
Effective masses of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model
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Effective masses of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model

Jogai, B.

Solid State Communications, 7/1998, Vol.107(7), pp.345-348 [Periódico revisado por pares]

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