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0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics
0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics
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0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics

Yao, Xi ; Zhang, Liangying ; Liu, Chunliang

SPIE 1994

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2
0.026µm2 high performance Embedded DRAM in 22nm technology for server and SOC applications
0.026µm2 high performance Embedded DRAM in 22nm technology for server and SOC applications
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0.026µm2 high performance Embedded DRAM in 22nm technology for server and SOC applications

Pei, C. ; Wang, G. ; Aquilino, M. ; Arnold, N. ; Chandra, B. ; Chang, W. ; Chen, X. ; Davies, W. ; Hawkins, K. ; Jaeger, D. ; Johnson, J. B. ; Kwon, O.-J ; Krishnasamy, R. ; Kong, W. ; Liu, J. ; Li, X. ; Messenger, B. ; Nelson, E. ; Nummy, K. ; Onishi, K. ; Poindexter, D. ; Rombawa, S. ; Sheraw, C. ; Tzou, T. ; Wang, X. ; Yin, M. ; Freeman, G. ; Kirahata, T. ; Maciejewski, E. ; Norum, J. ; Robson, N. ; Narasimha, S. ; Parries, P. ; Agnello, P. ; Malik, R. ; Iyer, S. S.

2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014, p.19.4.1-19.4.4

IEEE

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3
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
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0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process

Shen, Xiang ; Wang, Yanxin ; Yang, Xiang ; Lu, Liqiang ; Huang, Liang

Journal of materials science. Materials in electronics, 2010-06, Vol.21 (6), p.630-634 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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4
0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
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0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications

Menou, N. ; Wang, X.P. ; Kaczer, B. ; Polspoel, W. ; Popovici, M. ; Opsomer, K. ; Pawlak, M.A. ; Knaepen, W. ; Detavernier, C. ; Blomberg, T. ; Pierreux, D. ; Swerts, J. ; Maes, J.W. ; Favia, P. ; Bender, H. ; Brijs, B. ; Vandervorst, W. ; Van Elshocht, S. ; Wouters, D.J. ; Biesemans, S. ; Kittl, J.A.

2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008, p.1-4

IEEE

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5
0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications

Menou, N ; Wang, XP ; Kaczer, B ; Polspoel, W ; Popovici, M ; Opsomer, K ; Pawlak, MA ; Knaepen, Werner ; Detavernier, Christophe ; Blomberg, T ; Pierreux, D ; Swerts, J ; Maes, JW ; Favia, P ; Bender, H ; Brijs, B ; Vandervorst, W ; Van Elshocht, S ; Wouters, DJ ; Biesemans, S ; Kittl, JA

IEEE 2008

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6
0.75 V 2.6 GHz digital bang–bang PLL with dynamic double-tail phase detector and supply-noise-tolerant gm-controlled DCO
0.75 V 2.6 GHz digital bang–bang PLL with dynamic double-tail phase detector and supply-noise-tolerant gm-controlled DCO
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.75 V 2.6 GHz digital bang–bang PLL with dynamic double-tail phase detector and supply-noise-tolerant gm-controlled DCO

Wong, C.-H ; Li, Y ; Du, J ; Wang, X ; Chang, M.-C.F

Electronics letters, 2018-02, Vol.54 (4), p.198-200 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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7
0.75 V 2.6 GHz digital bang–bang PLL with dynamic double‐tail phase detector and supply‐noise‐tolerant g m ‐controlled DCO
0.75 V 2.6 GHz digital bang–bang PLL with dynamic double‐tail phase detector and supply‐noise‐tolerant g m ‐controlled DCO
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.75 V 2.6 GHz digital bang–bang PLL with dynamic double‐tail phase detector and supply‐noise‐tolerant g m ‐controlled DCO

Wong, C.‐H. ; Li, Y. ; Du, J. ; Wang, X. ; Chang, M.‐C.F.

Electronics letters, 2018-02, Vol.54 (4), p.198-200 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

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8
0.75(Bi 1/2 Na 1/2 )TiO 3 -0.20(Bi 1/2 K 1/2 )TiO 3 -0.05BaTiO 3 Lead-Free Ceramics with Addition of CeO 2
0.75(Bi 1/2 Na 1/2 )TiO 3 -0.20(Bi 1/2 K 1/2 )TiO 3 -0.05BaTiO 3 Lead-Free Ceramics with Addition of CeO 2
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.75(Bi 1/2 Na 1/2 )TiO 3 -0.20(Bi 1/2 K 1/2 )TiO 3 -0.05BaTiO 3 Lead-Free Ceramics with Addition of CeO 2

Choy, S. H. ; Wang, X. X. ; Chan, H. L. W. ; Choy, C. L.

Ferroelectrics, 2006-07, Vol.336 (1), p.69-79 [Periódico revisado por pares]

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9
0.75(Bi1/2Na1/2)TiO3-0.20(Bi1/2K1/2)TiO3-0.05BaTiO3 Lead-Free Ceramics with Addition of CeO2
0.75(Bi1/2Na1/2)TiO3-0.20(Bi1/2K1/2)TiO3-0.05BaTiO3 Lead-Free Ceramics with Addition of CeO2
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.75(Bi1/2Na1/2)TiO3-0.20(Bi1/2K1/2)TiO3-0.05BaTiO3 Lead-Free Ceramics with Addition of CeO2

Choy, S. H. ; Wang, X. X. ; Chan, H. L. W. ; Choy, C. L.

Ferroelectrics, 2006, Vol.336 (1), p.69-79 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

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10
0.808-μm InGaAsP/GaAs SCH lasers
0.808-μm InGaAsP/GaAs SCH lasers
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.808-μm InGaAsP/GaAs SCH lasers

Zhu, Baoren ; Zhang, Xingde ; Bo, Baoxue ; Zhang, Baoshun ; Yang, Zonghe

SPIE 1996

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