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0.1-2 GHz垂直偏波遠方界ばく露の人体モデルに対する身長方向の層誘導電流2乗平均値を用いた全身平均SARの推定
0.1-2 GHz垂直偏波遠方界ばく露の人体モデルに対する身長方向の層誘導電流2乗平均値を用いた全身平均SARの推定
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0.1-2 GHz垂直偏波遠方界ばく露の人体モデルに対する身長方向の層誘導電流2乗平均値を用いた全身平均SARの推定

鈴木, 登季夫 ; 平田, 晃正 ; 王, 建青 ; 藤原, 修

電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, 2013/12/01, Vol.133(12), pp.2155-2159

一般社団法人 電気学会

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2
0.18 µm多端子MOSFET型センサのプローブ位置と温度に対する磁界特性評価
0.18 µm多端子MOSFET型センサのプローブ位置と温度に対する磁界特性評価
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0.18 µm多端子MOSFET型センサのプローブ位置と温度に対する磁界特性評価

鈴木, 慎弥 ; 原田, 知親

電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）, 2023/09/01, Vol.143(9), pp.300-305

一般社団法人 電気学会

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3
0.1%C-25%Cr-2%Mo ステンレス鋳鋼の機械的性質と耐食性に及ぼすチタンの影響
0.1%C-25%Cr-2%Mo ステンレス鋳鋼の機械的性質と耐食性に及ぼすチタンの影響
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0.1%C-25%Cr-2%Mo ステンレス鋳鋼の機械的性質と耐食性に及ぼすチタンの影響

星野, 和義 ; 近藤, 暉 ; 鈴木, 純一 ; 大谷, 利勝

鋳物, 1981/09/25, Vol.53(9), pp.511-516

公益社団法人 日本鋳造工学会

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4
0.3-1.5 V Embedded SRAM Core with Write-Replica Circuit Using Asymmetrical Memory Cell and Source-Level-Adjusted Direct-Sense-Amplifier
0.3-1.5 V Embedded SRAM Core with Write-Replica Circuit Using Asymmetrical Memory Cell and Source-Level-Adjusted Direct-Sense-Amplifier
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0.3-1.5 V Embedded SRAM Core with Write-Replica Circuit Using Asymmetrical Memory Cell and Source-Level-Adjusted Direct-Sense-Amplifier

SUZUKI, T.

IEICE transactions on electronics, 2005-04, Vol.E88-C (4), p.630-638 [Periódico revisado por pares]

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5
0.3-1.5 V embedded SRAM core with write-replica circuit using asymmetrical memory cell and source-level-adjusted direct-sense-amplifier : Lower-power LSI and lower-power IP
0.3-1.5 V embedded SRAM core with write-replica circuit using asymmetrical memory cell and source-level-adjusted direct-sense-amplifier : Lower-power LSI and lower-power IP
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0.3-1.5 V embedded SRAM core with write-replica circuit using asymmetrical memory cell and source-level-adjusted direct-sense-amplifier : Lower-power LSI and lower-power IP

SUZUKI, Toshikazu ; YAMAGAMI, Yoshinobu ; HATANAKA, Ichiro ; SHIBAYAMA, Akinori ; AKAMATSU, Hironori ; YAMAUCHI, Hiroyuki

IEICE transactions on electronics, 2005, Vol.88 (4), p.630-638 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Oxford University Press

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6
0.3 µm Gate length super low noise GaAs MESFET
0.3 µm Gate length super low noise GaAs MESFET
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0.3 µm Gate length super low noise GaAs MESFET

Ishiuchi, H. ; Mizuno, H. ; Kaneko, Y. ; Arai, K. ; Suzuki, K.

1982 International Electron Devices Meeting, 1982, p.590-593

IRE

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7
0.3- mu m-diam bubble material of (BiSmLu) sub(3)(FeSc) sub(5)O sub(12) grown from PbO-Bi sub(2)O sub(3)-V sub(2)O sub(5) flux
0.3- mu m-diam bubble material of (BiSmLu) sub(3)(FeSc) sub(5)O sub(12) grown from PbO-Bi sub(2)O sub(3)-V sub(2)O sub(5) flux
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0.3- mu m-diam bubble material of (BiSmLu) sub(3)(FeSc) sub(5)O sub(12) grown from PbO-Bi sub(2)O sub(3)-V sub(2)O sub(5) flux

Hosoe, Y ; Andoh, K ; Ikeda, T ; Suzuki, R

Journal of applied physics, 1987-01, Vol.61 (8), p.3485-3487 [Periódico revisado por pares]

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8
0.3 to 1.5V embedded SRAM with device-fluctuation-tolerant access-control and cosmic-ray-immune hidden-ECC scheme
0.3 to 1.5V embedded SRAM with device-fluctuation-tolerant access-control and cosmic-ray-immune hidden-ECC scheme
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.3 to 1.5V embedded SRAM with device-fluctuation-tolerant access-control and cosmic-ray-immune hidden-ECC scheme

Suzuki, T. ; Yamagami, Y. ; Hatanaka, I. ; Shibayama, A. ; Akamatsu, H. ; Yamauchi, H.

ISSCC. 2005 IEEE International Digest of Technical Papers. Solid-State Circuits Conference, 2005, 2005, p.484-612 Vol. 1

IEEE

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9
0.3-μm-diam bubble material of (BiSmLu)3(FeSc)5O12 grown from PbO-Bi2O3-V2O5 flux
0.3-μm-diam bubble material of (BiSmLu)3(FeSc)5O12 grown from PbO-Bi2O3-V2O5 flux
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0.3-μm-diam bubble material of (BiSmLu)3(FeSc)5O12 grown from PbO-Bi2O3-V2O5 flux

Hosoe, Yuzuru ; Andoh, Keikichi ; Ikeda, Tadashi ; Suzuki, Ryo

Journal of applied physics, 1987-04, Vol.61 (8), p.3485-3487 [Periódico revisado por pares]

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10
1994 International Workshop on B Physics physics beyond the standard model at the B factory : Nagoya, Japan, 26-28 October, 1994
1994 International Workshop on B Physics physics beyond the standard model at the B factory : Nagoya, Japan, 26-28 October, 1994
Material Type:
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1994 International Workshop on B Physics physics beyond the standard model at the B factory : Nagoya, Japan, 26-28 October, 1994

International Workshop on B Physics (1994 Nagoya-shi, Japan) A. I Sanda (A. Ichiro); S Suzuki (Shiro)

Singapore World Scientific River Edge, N.J. c1995

Localização: IF - Instituto de Física    (539.7216206 I61b 1994 )(Acessar)

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Autor/Criador 

  1. Suzuki, S  (50)
  2. Suzuki, M  (44)
  3. Suzuki, L  (39)
  4. Suzuki, J  (36)
  5. Suzuki, C  (36)
  6. Suzuki, T  (24)
  7. Suzuki, K  (23)
  8. Suzuki, A  (23)
  9. Passos-Bueno, M  (19)
  10. Suzuki, O  (17)
  11. Suzuki, H  (15)
  12. Suzuki, E  (15)
  13. Suzuki, P  (14)
  14. Ribeiro, M  (13)
  15. Suzuki, Y  (12)
  16. Zatz, M  (12)
  17. Castro, R  (11)
  18. Prates, R  (10)
  19. Moreira, E  (10)
  20. Vainzof, M  (9)
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Data de Publicação 

De até
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  1. Antes de1959  (3.672)
  2. 1959Até1975  (21.696)
  3. 1976Até1992  (76.452)
  4. 1993Até2010  (176.322)
  5. Após 2010  (184.889)
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Idioma 

  1. Inglês  (342.907)
  2. Japonês  (218.715)
  3. Português  (620)
  4. Coreano  (553)
  5. Francês  (428)
  6. Alemão  (417)
  7. Russo  (180)
  8. Chinês  (175)
  9. Espanhol  (60)
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  11. Italiano  (17)
  12. Holandês  (12)
  13. Sueco  (11)
  14. Catalão  (5)
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