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106 Effects of second elements on the micro-hardness and microstructure in Ti-based nitride films
106 Effects of second elements on the micro-hardness and microstructure in Ti-based nitride films
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106 Effects of second elements on the micro-hardness and microstructure in Ti-based nitride films

Kimura, Ayako ; Hasegawa, Hiroyuki ; Suzuki, Tetsuya

The Proceedings of Conference of Kanto Branch, 2001-03, Vol.2001.7, p.257-258

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11B and 10B MAS NMR studies of distorted tetrahedral coordination of wurtzite boron nitride
11B and 10B MAS NMR studies of distorted tetrahedral coordination of wurtzite boron nitride
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11B and 10B MAS NMR studies of distorted tetrahedral coordination of wurtzite boron nitride

Tansho, M. ; Komatsu, S. ; Shimizu, Y. ; Moriyoshi, Y.

Diamond and related materials, 2003-03, Vol.12 (3), p.1169-1172 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
14N NMR in AlN and BN
14N NMR in AlN and BN
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14N NMR in AlN and BN

Bastow, T.J ; Massiot, D ; Coutures, J.P

Solid state nuclear magnetic resonance, 1998-02, Vol.10 (4), p.241-245 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier Inc

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200 keV ion implantation experiments in very high dose region
200 keV ion implantation experiments in very high dose region
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

200 keV ion implantation experiments in very high dose region

Ito, Y. ; Ishigami, R. ; Yasuda, K. ; Hatori, S. ; Yamamoto, A.

2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, p.793-796

IEEE

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25aC-4 Electronic Structure Calculations on III-V(N)and II(Zn)-VI Semiconductors in Wurtzite Structure by GW Approximation
25aC-4 Electronic Structure Calculations on III-V(N)and II(Zn)-VI Semiconductors in Wurtzite Structure by GW Approximation
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25aC-4 Electronic Structure Calculations on III-V(N)and II(Zn)-VI Semiconductors in Wurtzite Structure by GW Approximation

Oshikiri, Mitsutake ; Aryasetiawan, Ferdi

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan, 1999/09/03, pp.598

The Physical Society of Japan

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6
28a-ZF-8 Bandgaps and Quasiparticle Energy Calculations on ZnO, ZnS and ZnSe in Zinc-Blende and Wurtzite Structure by GW Approximation
28a-ZF-8 Bandgaps and Quasiparticle Energy Calculations on ZnO, ZnS and ZnSe in Zinc-Blende and Wurtzite Structure by GW Approximation
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28a-ZF-8 Bandgaps and Quasiparticle Energy Calculations on ZnO, ZnS and ZnSe in Zinc-Blende and Wurtzite Structure by GW Approximation

Oshikiri, Mitsutake ; Ferdi, Aryasetiawan ; Olle, Gunnarsson

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan, 1999/03/15, pp.138

The Physical Society of Japan

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7
2DEGs and 2DHGs Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polarization in AlGaN/GaN Heterostructures
2DEGs and 2DHGs Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polarization in AlGaN/GaN Heterostructures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

2DEGs and 2DHGs Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polarization in AlGaN/GaN Heterostructures

Ambacher, O. ; Link, A. ; Hackenbuchner, S. ; Stutzmann, M. ; Dimitrov, R. ; Murphy, M. ; Smart, J. ; Shealy, J.R. ; Green, B. ; Schaff, W.J. ; Eastman, L.F.

MRS proceedings, 2000, Vol.622, Article T5.10.1

New York, USA: Cambridge University Press

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346 nm Emission from AlGaN Multi-Quantum-Well Light Emitting Diode
346 nm Emission from AlGaN Multi-Quantum-Well Light Emitting Diode
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346 nm Emission from AlGaN Multi-Quantum-Well Light Emitting Diode

Nishida, T. ; Kobayashi, N.

Physica status solidi. A, Applied research, 1999-11, Vol.176 (1), p.45-48 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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3D morphology of II–VI semiconductor nanocrystals grown in inverted micelles
3D morphology of II–VI semiconductor nanocrystals grown in inverted micelles
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

3D morphology of II–VI semiconductor nanocrystals grown in inverted micelles

Ricolleau, C ; Audinet, L ; Gandais, M ; Gacoin, T ; Boilot, J.P

Journal of crystal growth, 1999-06, Vol.203 (4), p.486-499 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
4 Reduction of the electron mobility in high-k MOS systems caused by remote scattering with soft interfacial optical phonons
4 Reduction of the electron mobility in high-k MOS systems caused by remote scattering with soft interfacial optical phonons
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Capítulo de Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

4 Reduction of the electron mobility in high-k MOS systems caused by remote scattering with soft interfacial optical phonons

Houssa, Michel

High k Gate Dielectrics, 2003, p.409-442

CRC Press

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  1. Ramos, L  (1)
  2. Leite, J  (1)
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