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0.18 /spl mu/m SBT-based embedded FeRAM operating at a low voltage of 1.1 V
0.18 /spl mu/m SBT-based embedded FeRAM operating at a low voltage of 1.1 V
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0.18 /spl mu/m SBT-based embedded FeRAM operating at a low voltage of 1.1 V

Nagano, Y. ; Mikawa, T. ; Kutsunai, T. ; Hayashi, S. ; Nasu, T. ; Natsume, S. ; Tatsunari, T. ; Ito, T. ; Goto, S. ; Yano, H. ; Noma, A. ; Nagahashi, K. ; Miki, T. ; Sakagami, M. ; Izutsu, Y. ; Nakakuma, T. ; Hirano, H. ; Iwanari, S. ; Murakuki, Y. ; Yamaoka, K. ; Goho, Y. ; Judai, Y. ; Fujii, E. ; Sato, K.

2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407), 2003, p.171-172

IEEE

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2
0.7-GHz-Bandwidth DS-UWB-IR System for Low-Power Wireless Communications
0.7-GHz-Bandwidth DS-UWB-IR System for Low-Power Wireless Communications
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0.7-GHz-Bandwidth DS-UWB-IR System for Low-Power Wireless Communications

FUJIWARA, Ryosuke ; MAEKI, Akira ; MIZUGAKI, Kenichi ; ONO, Goichi ; NAKAGAWA, Tatsuo ; NORIMATSU, Takayasu ; KOKUBO, Masaru ; MIYAZAKI, Masayuki ; OKUMA, Yasuyuki ; HAYAKAWA, Miki ; KOBAYASHI, Shinsuke ; KOSHIZUKA, Noboru ; SAKAMURA, Ken

IEICE Transactions on Communications, 2008/02/01, Vol.E91.B(2), pp.518-526 [Periódico revisado por pares]

Oxford: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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3
1-Difluoroboronyloxy-3-(N-methylimino)-1-phenyl-1-butene and its Two Photoproducts
1-Difluoroboronyloxy-3-(N-methylimino)-1-phenyl-1-butene and its Two Photoproducts
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1-Difluoroboronyloxy-3-(N-methylimino)-1-phenyl-1-butene and its Two Photoproducts

Itoh, K. ; Fujimoto, M. ; Hashimoto, M.

Acta crystallographica. Section C, Crystal structure communications, 1998-09, Vol.54 (9), p.1324-1327 [Periódico revisado por pares]

5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England: International Union of Crystallography

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4
1-Methoxycarbonylindolizine-3,5-dicarbaldehyde as a derivatization reagent for amino compounds in high-performance capillary electrophoresis
1-Methoxycarbonylindolizine-3,5-dicarbaldehyde as a derivatization reagent for amino compounds in high-performance capillary electrophoresis
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1-Methoxycarbonylindolizine-3,5-dicarbaldehyde as a derivatization reagent for amino compounds in high-performance capillary electrophoresis

OGURI, S ; UCHIDA, C ; MIYAKE, Y ; MIKI, Y ; KAKEHI, K

Analyst (London), 1995, Vol.120 (1), p.63-68 [Periódico revisado por pares]

Cambridge: Royal Society of Chemistry

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5
1,4-Addition of Diorganozincs to α,β-Unsaturated Ketones Catalyzed by a Copper(I)-Sulfonamide Combined System
1,4-Addition of Diorganozincs to α,β-Unsaturated Ketones Catalyzed by a Copper(I)-Sulfonamide Combined System
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1,4-Addition of Diorganozincs to α,β-Unsaturated Ketones Catalyzed by a Copper(I)-Sulfonamide Combined System

Kitamura, Masato ; Miki, Takashi ; Nakano, Keiji ; Noyori, Ryoji

Bulletin of the Chemical Society of Japan, 2000-04, Vol.73 (4), p.999-1014 [Periódico revisado por pares]

The Chemical Society of Japan

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6
1.5 V high speed read operation and low power consumption circuit technology for EPROM and flash-EEPROM
1.5 V high speed read operation and low power consumption circuit technology for EPROM and flash-EEPROM
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1.5 V high speed read operation and low power consumption circuit technology for EPROM and flash-EEPROM

Matsumoto, O. ; Miki, K. ; Mizutani, T. ; Tamaoki, M. ; Wada, A. ; Sato, M.

Proceedings of IEEE Custom Integrated Circuits Conference - CICC '93, 1993, p.25.4.1-25.4.4

IEEE

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7
A 0.9 V 1T1C SBT-based embedded non-volatile FeRAM with a reference voltage scheme and multi-layer shielded bit-line structure
A 0.9 V 1T1C SBT-based embedded non-volatile FeRAM with a reference voltage scheme and multi-layer shielded bit-line structure
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A 0.9 V 1T1C SBT-based embedded non-volatile FeRAM with a reference voltage scheme and multi-layer shielded bit-line structure

Yamaoka, K. ; Iwanari, S. ; Murakuki, Y. ; Hirano, H. ; Sakagami, M. ; Nakakuma, T. ; Miki, T. ; Gohou, Y.

2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519), 2004, p.50-512 Vol.1

IEEE

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8
A 0.9-V 1T1C SBT-based embedded nonvolatile FeRAM with a reference voltage scheme and multilayer shielded bit-line structure
A 0.9-V 1T1C SBT-based embedded nonvolatile FeRAM with a reference voltage scheme and multilayer shielded bit-line structure
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A 0.9-V 1T1C SBT-based embedded nonvolatile FeRAM with a reference voltage scheme and multilayer shielded bit-line structure

Yamaoka, K. ; Iwanari, S. ; Murakuki, Y. ; Hirano, H. ; Sakagami, M. ; Nakakuma, T. ; Miki, T. ; Gohou, Y.

IEEE journal of solid-state circuits, 2005-01, Vol.40 (1), p.286-292 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
A 0.9V 1T1C SBT-based embedded non-volatile FeRAM with a reference voltage scheme and multi-layer shielded bit-line structure
A 0.9V 1T1C SBT-based embedded non-volatile FeRAM with a reference voltage scheme and multi-layer shielded bit-line structure
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.9V 1T1C SBT-based embedded non-volatile FeRAM with a reference voltage scheme and multi-layer shielded bit-line structure

YAMAOKA, Kunisato ; IWANARI, Shunichi ; MURAKUKI, Yasuo ; HIRANO, Hiroshige ; SAKAGAMI, Masahiko ; NAKAKUMA, Tetsuji ; MIKI, Takashi ; GOHOU, Yasushi

Piscataway, New Jersey: IEEE 2004

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10
A 10-b 50 MS/s 500-mW A/D converter using a differential-voltage subconverter
A 10-b 50 MS/s 500-mW A/D converter using a differential-voltage subconverter
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 10-b 50 MS/s 500-mW A/D converter using a differential-voltage subconverter

Miki, T. ; Kouno, H. ; Kumamoto, T. ; Kinoshita, Y. ; Igarashi, T. ; Okada, K.

IEEE journal of solid-state circuits, 1994-04, Vol.29 (4), p.516-522 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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