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0-1 GHz waveguide 10.6 mum GaAs electrooptic modulator
0-1 GHz waveguide 10.6 mum GaAs electrooptic modulator
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0-1 GHz waveguide 10.6 mum GaAs electrooptic modulator

Brown, R T

IEEE journal of quantum electronics, 1992-05, Vol.28 (5), p.1349-1352 [Periódico revisado por pares]

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2
0–360 Degrees angular measurements using spatial displacement
0–360 Degrees angular measurements using spatial displacement
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0–360 Degrees angular measurements using spatial displacement

Yuan, Yangsheng ; Xu, Didi ; Cheng, Ruishan ; Gao, Yaru ; Hoenders, Bernhard J. ; Cai, Yangjian

Applied physics letters, 2023-03, Vol.122 (11) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
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0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes

Smith, R.P. ; Alien, S.T. ; Reddy, M. ; Martin, S.C. ; Liu, J. ; Muller, R.E. ; Rodwell, M.J.W.

IEEE electron device letters, 1994-08, Vol.15 (8), p.295-297 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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4
0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm
0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm
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0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm

Dogru, Selim ; Dagli, Nadir

Journal of lightwave technology, 2014-02, Vol.32 (3), p.435-439 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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5
0.3-10.0 THz spectra for chosen liquid crystal molecules - simulation and physical properties
0.3-10.0 THz spectra for chosen liquid crystal molecules - simulation and physical properties
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0.3-10.0 THz spectra for chosen liquid crystal molecules - simulation and physical properties

Parka, Janusz ; Sielezin, Karol

Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2017-11, Vol.657 (1), p.66-71 [Periódico revisado por pares]

Philadelphia: Taylor & Francis

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6
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
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0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process

Shen, Xiang ; Wang, Yanxin ; Yang, Xiang ; Lu, Liqiang ; Huang, Liang

Journal of materials science. Materials in electronics, 2010-06, Vol.21 (6), p.630-634 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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7
0.3 V drive voltage Ga As ∕ Al Ga As substrate removed Mach-Zehnder intensity modulators
0.3 V drive voltage Ga As ∕ Al Ga As substrate removed Mach-Zehnder intensity modulators
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0.3 V drive voltage Ga As ∕ Al Ga As substrate removed Mach-Zehnder intensity modulators

Shin, JaeHyuk ; Chang, Yu-Chia ; Dagli, Nadir

Applied physics letters, 2008-05, Vol.92 (20), p.201103-201103-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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8
0.35-mum laser-matter interaction experiments at the University of Rochester
0.35-mum laser-matter interaction experiments at the University of Rochester
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0.35-mum laser-matter interaction experiments at the University of Rochester

Goldman, L ; Richardson, M ; Soures, J ; Yaakobi, B ; Boehly, T ; Keck, R ; Tanaka, K ; Forsley, K ; Boni, R ; Craxton, R ; Delettrez, J ; McCrory, R

IEEE journal of quantum electronics, 1981-12, Vol.17 (12), p.2412-2412 [Periódico revisado por pares]

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Citações Citado por
9
0.35 μm CMOS Optical Sensor for an Integrated Transimpedance Circuit
0.35 μm CMOS Optical Sensor for an Integrated Transimpedance Circuit
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.35 μm CMOS Optical Sensor for an Integrated Transimpedance Circuit

Escid, H. ; Attari, M. ; Ait aidir, M. ; Mechti, W.

International journal on smart sensing and intelligent systems, 2011-01, Vol.4 (3), p.467-481 [Periódico revisado por pares]

Sydney: Sciendo

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10
0.3pA Dark Current and 0.65A/W Responsivity 1020nm InGaAs/GaAs Nano-Ridge Waveguide Photodetector Monolithically Integrated on a 300-mm Si Wafer
0.3pA Dark Current and 0.65A/W Responsivity 1020nm InGaAs/GaAs Nano-Ridge Waveguide Photodetector Monolithically Integrated on a 300-mm Si Wafer
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.3pA Dark Current and 0.65A/W Responsivity 1020nm InGaAs/GaAs Nano-Ridge Waveguide Photodetector Monolithically Integrated on a 300-mm Si Wafer

Ozdemir, Cenk Ibrahim ; de Koninck, Yannick ; Yudistira, Didit ; Kuznetsova, Nadezda ; Baryshnikova, Marina ; van Thourhout, Dries ; Kunert, Bernardette ; Pantouvaki, Marianna ; van Campenhout, Joris

2020 European Conference on Optical Communications (ECOC), 2020, p.1-4

IEEE

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Deste Autor:

  1. Silva, A
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  5. Hirota, O

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  1. Science & Technology
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