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Refinado por: data de publicação: 1997Até2003 remover Base de dados/Biblioteca: Elsevier (CrossRef) remover Nome da Publicação: Solid State Communications remover
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1
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Electron–interface-phonon interaction in wurtzite multilayer heterostructures

Shi, Jun-Jie

Solid State Communications, 2003, Vol.127(1), pp.51-55 [Periódico revisado por pares]

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2
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Effect of isotopic mass on the photoluminescence spectra of zinc oxide

Manjón, F.J ; Mollar, M ; Hernández-Fenollosa, M.A ; Marı́, B ; Lauck, R ; Cardona, M

Solid State Communications, 2003, Vol.128(1), pp.35-39 [Periódico revisado por pares]

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3
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Universal bandgap bowing in group III nitride alloys

Wu, J ; Walukiewicz, W ; Yu, K.M ; Ager III, J.W ; Li, S.X ; Haller, E.E ; Lu, H ; Schaff, W.J Lawrence Berkeley National Lab. (Lbnl), Berkeley, Ca (United States) (Corporate Author)

Solid State Communications, 06 August 2002, Vol.127(6) [Periódico revisado por pares]

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4
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Anisotropy of UV-reflectivity in wurtzite crystals: a comparison between GaN and CdSe

Lambrecht, Walter R.L ; Prikhodko, Margarita

Solid State Communications, 2002, Vol.121(9), pp.549-554 [Periódico revisado por pares]

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Difference in optical bandgap between zinc-blende and wurtzite ZnO structure formed on sapphire (0001) substrate

Lee, G.H ; Kawazoe, T ; Ohtsu, M

Solid State Communications, 2002, Vol.124(5), pp.163-165 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III–V nitride quantum wells

Wan, Shou-Pu ; Xia, Jian-Bai

Solid State Communications, 2002, Vol.122(5), pp.287-292 [Periódico revisado por pares]

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Room temperature ferromagnetic (Ga,Mn)N epitaxial films with low Mn concentration grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy

Park, M.C ; Huh, K.S ; Myoung, J.M ; Lee, J.M ; Chang, J.Y ; Lee, K.I ; Han, S.H ; Lee, W.Y

Solid State Communications, 2002, Vol.124(1), pp.11-14 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Precise measurement of equation-of-state and elastic properties for GaN up to 16 GPa

Tsuchiya, T ; Kawamura, K ; Ohtaka, O ; Fukui, H ; Kikegawa, T

Solid State Communications, 2002, Vol.121(9), pp.555-559 [Periódico revisado por pares]

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9
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Artigo
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Exciton states and interband optical transitions in InGaN quantum dots

Shi, Jun-Jie

Solid State Communications, 2002, Vol.124(9), pp.341-345 [Periódico revisado por pares]

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10
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Pressure effect on phonon modes in gallium nitride: a molecular dynamics study

Aouas, M.R ; Sekkal, W ; Zaoui, A

Solid State Communications, 2001, Vol.120(9), pp.413-418 [Periódico revisado por pares]

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