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Semiconductor lasers
Semiconductor lasers
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Semiconductor lasers

Eliseev, P G ; Popov, Yurii M

Quantum electronics (Woodbury, N.Y.), 1997-12, Vol.27 (12), p.1035-1047, Article 1035 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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2
Exciton photo-luminescence of GaN bulk crystals grown by the AMMONO method
Exciton photo-luminescence of GaN bulk crystals grown by the AMMONO method
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Exciton photo-luminescence of GaN bulk crystals grown by the AMMONO method

Dwiliński, R ; Doradziński, R ; Garczyński, J ; Sierzputowski, L ; Baranowski, J.M ; Kamińska, M

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.46-49 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Optical properties of GaN epilayers grown on Si (111) and Si (001) substrates
Optical properties of GaN epilayers grown on Si (111) and Si (001) substrates
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Optical properties of GaN epilayers grown on Si (111) and Si (001) substrates

Godlewski, M ; Bergman, J.P ; Monemar, B ; Rossner, U ; Langer, R ; Barski, A

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.113-116 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
Nanosecond pump-and-probe study of wurtzite GaN
Nanosecond pump-and-probe study of wurtzite GaN
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Nanosecond pump-and-probe study of wurtzite GaN

Deguchi, T ; Azuhata, T ; Sota, T ; Chichibu, S ; Sarukura, N ; Ohtake, H ; Yamanaka, T ; Nakamura, S

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.180-182 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Two-photon spectroscopy in GaN
Two-photon spectroscopy in GaN
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Two-photon spectroscopy in GaN

Steube, M ; Reimann, K ; Fröhlich, D ; Clarke, S.J

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.188-191 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Comparison of wurtzite and zinc blende III–V nitrides field effect transistors: a 2D Monte Carlo device simulation
Comparison of wurtzite and zinc blende III–V nitrides field effect transistors: a 2D Monte Carlo device simulation
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Comparison of wurtzite and zinc blende III–V nitrides field effect transistors: a 2D Monte Carlo device simulation

Dessenne, F ; Cichocka, D ; Desplanques, P ; Fauquembergue, R

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.315-318 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Cathodoluminescence study of crystalline quality of (Al, In, Ga)N heterostructures
Cathodoluminescence study of crystalline quality of (Al, In, Ga)N heterostructures
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Cathodoluminescence study of crystalline quality of (Al, In, Ga)N heterostructures

Liu, Q ; Lakner, H ; Meinert, A ; Scholz, F ; Sohmer, A ; Kubalek, E

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.245-250 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Origin of the Q=11 meV bound exciton in GaN
Origin of the Q=11 meV bound exciton in GaN
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Origin of the Q=11 meV bound exciton in GaN

Kaufmann, U ; Merz, C ; Šantic, B ; Niebuhr, R ; Obloh, H ; Bachem, K.H

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.109-112 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
The optical linewidth of InGaN light emitting diodes
The optical linewidth of InGaN light emitting diodes
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The optical linewidth of InGaN light emitting diodes

Middleton, P.G ; O'Donnell, K.P ; Breitkopf, T ; Kalt, H ; Van der Stricht, W ; Moerman, I ; Demeester, P

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.285-288 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
Determination of Zeeman splittings of excitonic transitions in wurtzite GaN by mean of magnetocircular dichroism technique
Determination of Zeeman splittings of excitonic transitions in wurtzite GaN by mean of magnetocircular dichroism technique
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Determination of Zeeman splittings of excitonic transitions in wurtzite GaN by mean of magnetocircular dichroism technique

Julier, M ; Campo, J ; Coquillat, D ; Lascaray, J.P ; Scalbert, D ; Briot, O

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.126-129 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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