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1
Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si
Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si

L. V. C. Assali (Lucy Vitória Credidio) F Gan; L C Kimberling; João Francisco Justo Filho 1966-

Applied Physics A-Materials Science & Processing New York v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003

New York 2003

Acesso online

2
Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon
Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon

L. V. C. Assali (Lucy Vitória Credidio) J. R Leite (José Roberto)

v.58, n.9 , p.577-80, 1986 Solid State Communications

1986

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3
Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon
Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon

L. V. C. Assali (Lucy Vitória Credidio) J. R Leite (José Roberto)

v.58, n.9 , p.577-80, 1986 Solid State Communications

1986

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4
Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si
Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si

L. V. C. Assali (Lucy Vitória Credidio) F Gan; L C Kimberling; João Francisco Justo Filho 1966-

Applied Physics A-Materials Science & Processing New York v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003

New York 2003

Acesso online

5
Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys
Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys

Pablo D Borges Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; Horacio W L Alves; Eronides F da Silva; L. V. C Assali (Lucy Vitória Credidio)

Nanoscale Research Letters (NRL) Heidelberg v.7, n.1, p. 540/1-540/6, set.2012

Heidelberg 2012

Acesso online

6
Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes.
Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes.

Borges, Pablo Damasceno

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2011-08-19

Acesso online

7
ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs

Franca, Ecio Jose

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1996-02-23

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

8
Electronic structure of erbium centers in silicon
Electronic structure of erbium centers in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic structure of erbium centers in silicon

F Gan L. V. C Assali (Lucy Vitória Credidio); L C Kimerling

v.196-201, p.579-84, 1995 Materials Science Forum

1995

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9
Electronic structure of erbium centers in silicon
Electronic structure of erbium centers in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic structure of erbium centers in silicon

F Gan L. V. C Assali (Lucy Vitória Credidio); L C Kimerling

v.196-201, p.579-84, 1995 Materials Science Forum

1995

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10
Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon
Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon

V M S Gomes L. V. C Assali (Lucy Vitória Credidio); J. R Leite (José Roberto)

v.20, p.749-61, 1986 International Journal of Quantum Chemistry. Symposium

1986

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  1. Assali, L
  2. Leite, J
  3. Gomes, V
  4. Gan, F
  5. Scolfaro, L

Neste Assunto:

  1. Estrutura Eletrônica
  2. Semicondutores
  3. Impurezas
  4. Impurities
  5. Estrutura Dos Sólidos

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