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Anisotropic transport of two-dimensional electron gas modulated by embedded elongated GaSb/GaAs quantum dots

Li, Guodong ; Jiang, Chao ; Zhu, Qinsheng ; Sakaki, Hiroyuki

Applied Physics Letters, 17 January 2011, Vol.98(3) [Periódico revisado por pares]

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Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al 2 O 3 /AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors

Ji, Dong ; Liu, Bing ; Lu, Yanwu ; Liu, Guipeng ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Applied Physics Letters, 26 March 2012, Vol.100(13) [Periódico revisado por pares]

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3
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Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al.sub.2O.sub.3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors

Ji, Dong ; Lu, Yanwu ; Liu, Bing ; Liu, Guipeng ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Thin Solid Films, May 1, 2013, Vol.534, p.655(4) [Periódico revisado por pares]

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4
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Two-dimensional electron gas mobility limited by barrier and quantum well thickness fluctuations scattering in Al x Ga 1−x N/GaN multi-quantum wells

Liu, Guipeng ; Wu, Ju ; Lu, Yanwu ; Zhao, Guijuan ; Gu, Chengyan ; Liu, Changbo ; Sang, Ling ; Yang, Shaoyan ; Liu, Xianglin ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Applied Physics Letters, 16 April 2012, Vol.100(16) [Periódico revisado por pares]

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5
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Scattering due to large cluster embedded in quantum wells

Liu, Changbo ; Zhao, Guijuan ; Liu, Guipeng ; Song, Yafeng ; Zhang, Heng ; Jin, Dongdong ; Li, Zhiwei ; Liu, Xianglin ; Yang, Shaoyan ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Applied Physics Letters, 04 February 2013, Vol.102(5) [Periódico revisado por pares]

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Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures

Liu, Guipeng ; Wu, Ju ; Zhao, Guijuan ; Liu, Shuman ; Mao, Wei ; Hao, Yue ; Liu, Changbo ; Yang, Shaoyan ; Liu, Xianglin ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Applied Physics Letters, 20 February 2012, Vol.100(8) [Periódico revisado por pares]

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Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors

Ji, Dong ; Lu, Yanwu ; Liu, Bing ; Liu, Guipeng ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Thin Solid Films, 01 May 2013, Vol.534, pp.655-658 [Periódico revisado por pares]

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Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Li, Huijie ; Liu, Guipeng ; Wei, Hongyuan ; Jiao, Chunmei ; Wang, Jianxia ; Zhang, Heng ; Dong Jin, Dong ; Feng, Yuxia ; Yang, Shaoyan ; Wang, Lianshan ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhan-Guo

Applied Physics Letters, 02 December 2013, Vol.103(23) [Periódico revisado por pares]

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Well-aligned zn-doped tilted inn nanorods grown on r -plane sapphire by mocvd

Zhang, Biao ; Song, Huaping ; Xu, Xiaoqing ; Liu, Jianming ; Wang, Jun ; Liu, Xianglin ; Yang, Shaoyan ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Nanotechnology, 2011, Vol.22(23), p.235603 (7pp) [Periódico revisado por pares]

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Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth

Li, Zhiwei ; Wei, Hongyuan ; Xu, Xiaoqing ; Zhao, Guijuan ; Liu, Xianglin ; Yang, Shaoyan ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo

Journal of Crystal Growth, 01 June 2012, Vol.348(1), pp.10-14 [Periódico revisado por pares]

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