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Effects of fluorine-based plasma treatment and thermal annealing on high-al content algan schottky contact

Liu, Fang ; Qin, Zhixin

Chinese Physics B, 2016, Vol.25(11), p.117304 (4pp) [Periódico revisado por pares]

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Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening

Guo, Yanan ; Zhang, Yun ; Yan, Jianchang ; Xie, Haizhong ; Liu, Lei ; Chen, Xiang ; Hou, Mengjun ; Qin, Zhixin ; Wang, Junxi ; Li, Jinmin

Applied Physics Letters, 03 July 2017, Vol.111(1) [Periódico revisado por pares]

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Spatial identification of traps in AlGaN/GaN heterostructures by the combination of lateral and vertical electrical stress measurements

Hu, Anqi ; Yang, Xuelin ; Cheng, Jianpeng ; Guo, Lei ; Zhang, Jie ; Ge, Weikun ; Wang, Maojun ; Xu, Fujun ; Tang, Ning ; Qin, Zhixin ; Wang, Xinqiang ; Shen, Bo

Applied Physics Letters, 25 January 2016, Vol.108(4) [Periódico revisado por pares]

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Positive temperature coefficient of photovoltaic efficiency in solar cells based on InGaN/GaN MQWs

Chen, Zhaoying ; Zheng, Xiantong ; Li, Zhilong ; Wang, Ping ; Rong, Xin ; Wang, Tao ; Yang, Xuelin ; Xu, Fujun ; Qin, Zhixin ; Ge, Weikun ; Shen, Bo ; Wang, Xinqiang

Applied Physics Letters, 08 August 2016, Vol.109(6) [Periódico revisado por pares]

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282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates

Dong, Peng ; Yan, Jianchang ; Wang, Junxi ; Zhang, Yun ; Geng, Chong ; Wei, Tongbo ; Cong, Peipei ; Zhang, Yiyun ; Zeng, Jianping ; Tian, Yingdong ; Sun, Lili ; Yan, Qingfeng ; Li, Jinmin ; Fan, Shunfei ; Qin, Zhixin

Applied Physics Letters, 17 June 2013, Vol.102(24) [Periódico revisado por pares]

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Lattice-Polarity-Driven Epitaxy of Hexagonal Semiconductor Nanowires

Wang, Ping ; Yuan, Ying ; Zhao, Chao ; Wang, Xinqiang ; Zheng, Xiantong ; Rong, Xin ; Wang, Tao ; Sheng, Bowen ; Wang, Qingxiao ; Zhang, Yongqiang ; Bian, Lifeng ; Yang, Xuelin ; Xu, Fujun ; Qin, Zhixin ; Li, Xinzheng ; Zhang, Xixiang ; Shen, Bo

Nano letters, 10 February 2016, Vol.16(2), pp.1328-34 [Periódico revisado por pares]

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Structural properties of β-Ga2O3 formed by dry thermal oxidization process on GaN

Wei, Wei ; Qin, Zhixin ; Zhao, Sheng ; Liu, Fang ; Fan, Shunfei ; Zheng, Jiaxin ; Zhang, Guoyi

Materials Science in Semiconductor Processing, October 2012, Vol.15(5), pp.578-581 [Periódico revisado por pares]

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AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency

Dong, Peng ; Yan, Jianchang ; Zhang, Yun ; Wang, Junxi ; Zeng, Jianping ; Geng, Chong ; Cong, Peipei ; Sun, Lili ; Wei, Tongbo ; Zhao, Lixia ; Yan, Qingfeng ; He, Chenguang ; Qin, Zhixin ; Li, Jinmin

Journal of Crystal Growth, 01 June 2014, Vol.395, pp.9-13 [Periódico revisado por pares]

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Effect of injection current on the optical polarization of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes

Hou, Mengjun ; Qin, Zhixin ; He, Chenguang ; Cai, Jun'An ; Wang, Xinqiang ; Shen, Bo

Optics express, 11 August 2014, Vol.22(16), pp.19589-94 [Periódico revisado por pares]

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Strain effect on the optical polarization properties of c-plane Al₀.₂₆Ga₀.₇₄N/GaN superlattices

Fan, Shunfei ; Qin, Zhixin ; He, Chenguang ; Wang, Xinqiang ; Shen, Bo ; Zhang, Guoyi

Optics express, 24 March 2014, Vol.22(6), pp.6322-8 [Periódico revisado por pares]

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