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Frequency analysis of reflection high‐energy electron diffraction intensity oscillations during molecular beam epitaxial growth of GaAs on nominally oriented (111)B substrates

Garcia, B. J. ; Fontaine, C. ; MuñozYagüe, A.

Applied Physics Letters, 30 January 1995, Vol.66(5), pp.610-612 [Periódico revisado por pares]

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Optimal growth conditions for molecular‐beam epitaxy of Nd 3+ doped CaF 2

Bausá, L. E. ; MuñozYagüe, A.

Applied Physics Letters, 30 December 1991, Vol.59(27), pp.3511-3513 [Periódico revisado por pares]

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CaF 2 :Yb 3+ +Pr 3+ codoped waveguides grown by molecular beam epitaxy for 1.3 μm applications

Lahoz, F. ; Daran, E. ; Lifante, G. ; Balaji, T. ; Muñoz-Yagüe, A.

Applied Physics Letters, 22 February 1999, Vol.74(8), pp.1060-1062 [Periódico revisado por pares]

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GaAs/Si(100) interface formation: a photoemission study

Mamy, R ; Muñoz-Yagüe, A

Surface Science, 1992, Vol.274(1), pp.99-105 [Periódico revisado por pares]

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Raman study of electron confinement in Si δ‐doped GaAs

Mlayah, A. ; Carles, R. ; Bedel, E. ; MuñozYagüe, A.

Applied Physics Letters, 31 May 1993, Vol.62(22), pp.2848-2850 [Periódico revisado por pares]

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Nd 3+ incorporation in CaF 2 layers grown by molecular beam epitaxy

Bausá, L. E. ; Legros, R. ; MuñozYagüe, A.

Applied Physics Letters, 08 July 1991, Vol.59(2), pp.152-154 [Periódico revisado por pares]

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Experimental demonstration of oxide-mode influence in a dual-purpose oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser/resonant detector

Bardinal, V. ; Averseng, L. ; Bringer, C. ; Camps, T. ; Polesel-Maris, J. ; Dubreuil, P. ; Fontaine, C. ; Bedel-Pereira, E. ; Vergnenegre, C. ; Muñoz-Yagüe, A.

Applied Physics Letters, 02 September 2002, Vol.81(10), pp.1771-1772 [Periódico revisado por pares]

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Precise growth of high uniformity vertical cavity devices using tunable dynamic optical reflectometry

Van Dijk, F ; Bardinal, V ; Fontaine, C ; Bedel-Pereira, E ; Muñoz-Yagüe, A

Journal of Crystal Growth, 1999, Vol.201, pp.1028-1031 [Periódico revisado por pares]

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UV AND OZONE CLEANING OF GASB (100) SURFACES PRIOR TO MBE GROWTH

Bertru, N ; Nouaoura, M ; Bonnet, J ; Lassabatere, L ; Bedel-Pereira, Eléna ; Muñoz-Yagüe, A Gasquet, Daniel (Editor)

Applied Surface Science, July 1993, Vol.68(3), pp.357-359 [Periódico revisado por pares]

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Optical pumping of GaAs grown on Si

Frandon, J ; Bacquet, G ; Bandet, J ; Fabre, F ; Taouint, R ; Fontaine, C ; Muñoz-Yagüe, A

Solid State Communications, 1990, Vol.73(7), pp.491-493 [Periódico revisado por pares]

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