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1
Material Type:
Artigo de Congresso
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Estudo da dinâmica de absorção multi-fotônica do GaN através da formatação de pulsos

R. J. Martins J. P Siqueira; J Dipoldi; Cleber Renato Mendonça; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (6. 2016 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2016

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Material Type:
Livro
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Pinchas Cohen Gan works on paper, 1969-1992

Tel Aviv Museum of Art Talia Rapaport; Irit Hadar; Michael Gordon; Richard Flantz; Meidad Suchowolski

Tel Aviv Tel Aviv Museum of Art c1992

Localização: ECA - Escola de Comunicações e Artes    (759.5694 G195t )(Acessar)

3
Material Type:
Artigo
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Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments

Alexis C. Vilas Bôas M.A.A. de Melo; R. B. B Santos; R Giacomini; Nilberto H Medina; L. E Seixas; S Finco; F. R Palomo; A Romero-Maestre; Marcilei A Guazzelli

Microelectronics Reliability Amsterdam: Elsevier, 2021 v. 116, janeiro de 2021, número do artigo: 114000

Amsterdam 2021

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

4
Material Type:
Dissertação de Mestrado
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Environment reconstruction on disparity images using surface features and Generative Adversarial Networks

Matias, Lucas Peres Nunes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Ciências Matemáticas e de Computação 2020-03-26

Acesso online

5
Avicenna and his legacy a golden age of science and philosophy
Material Type:
Livro
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Avicenna and his legacy a golden age of science and philosophy

Y. Tzvi Langermann

Turnhout, Belgium Brepols c2009

Localização: FFLCH - Fac. Fil. Let. e Ciências Humanas    (181.947 A957 e.3 )(Acessar)

6
Material Type:
Artigo
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Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence

Kaganer, Vladimir M ; Fernández-Garrido, Sergio ; Dogan, Pinar ; Sabelfeld, Karl K ; Brandt, Oliver

Nano letters, 08 June 2016, Vol.16(6), pp.3717-25 [Periódico revisado por pares]

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7
Material Type:
Artigo
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Interfacial Structure and Chemistry of GaN on Ge(111)

Zhang, Siyuan ; Zhang, Yucheng ; Cui, Ying ; Freysoldt, Christoph ; Neugebauer, Joerg ; Lieten, Ruben R ; Barnard, Jonathan S ; Humphreys, Colin J

Physical Review Letters, 2013, Vol.111(25), pp.256101-4 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

8
Material Type:
Artigo
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Excitonic parameters of GaN studied by time-of-flight spectroscopy

V. Shubina, T ; A. Toropov, A ; Pozina, G ; P. Bergman, J ; M. Glazov, M ; Gippius, Nikolay A ; Disseix, Pierre ; Leymarie, Joël ; Gil, Bernard ; Monemar, Bo

Applied physics letters, 12 September 2011, Vol.99, p.101108 [Periódico revisado por pares]

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9
Material Type:
Artigo
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Surfactant assisted growth of MgO films on GaN

Paisley, Elisibeth A ; Shelton, T C ; Mita, S ; Gaddy, Brian E ; Irving, D L ; Christen, Hans M ; Sitar, Z ; Biegalski, Michael D ; Maria, Jon Paul Oak Ridge National Lab. (Ornl), Oak Ridge, Tn (United States) (Corporate Author) ; Center for Nanophase Materials Sciences (Corporate Author)

Applied Physics Letters, 01 January 2012, Vol.101(9) [Periódico revisado por pares]

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10
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Artigo
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Gallium nitride grown by molecular beam epitaxy at low temperatures

Jeffries, A.M ; Ding, L ; Williams, J.J ; Williamson, T.L ; Hoffbauer, M.A ; Honsberg, C.B ; Bertoni, M.I

Thin solid films, 30 November 2017, Vol.642, pp.25-30 [Periódico revisado por pares]

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