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1
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Artigo de Congresso
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Estudo da dinâmica de absorção multi-fotônica do GaN através da formatação de pulsos

R. J. Martins J. P Siqueira; J Dipoldi; Cleber Renato Mendonça; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (6. 2016 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2016

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
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Artigo
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Band structure calculations of InP wurtzite/zinc-blende quantum wells

Faria Junior, P. E.; Sipahi, Guilherme Matos Universidade De São Paulo

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, MELVILLE, v. 112, n. 10, supl. 1, Part 4, pp. 21-24, 42309, 2012

AMER INST PHYSICS; MELVILLE 2013-08-02

Acesso online

3
Material Type:
Artigo
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Accurate band gaps of AlGaN, InGaN, and AlInN alloys calculations based on LDA-1/2 approach

Pela, R. R.; Caetano, C.; Marques, M.; Ferreira, L. G.; Furthmueller, J.; Teles, L. K. Universidade De São Paulo

APPLIED PHYSICS LETTERS, v.98, n.15, 2011

AMER INST PHYSICS 2011

Acesso online

4
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Livro
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Pinchas Cohen Gan works on paper, 1969-1992

Tel Aviv Museum of Art Talia Rapaport; Irit Hadar; Michael Gordon; Richard Flantz; Meidad Suchowolski

Tel Aviv Tel Aviv Museum of Art c1992

Localização: ECA - Escola de Comunicações e Artes    (759.5694 G195t )(Acessar)

5
Material Type:
Artigo
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Rare-earth impurities in gallium nitride: The role of the Hubbard potential

Caroena, G.; Justo Filho, João Francisco; Machado, W. V. M.; Assali, L. V. C. Universidade De São Paulo

DIAMOND AND RELATED MATERIALS, LAUSANNE, v. 27-28, n. 5, supl. 1, Part 1, pp. 64-67, JUL-AUG, 2012

ELSEVIER SCIENCE SA; LAUSANNE 2012

Acesso online

6
Avicenna and his legacy a golden age of science and philosophy
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Livro
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Avicenna and his legacy a golden age of science and philosophy

Y. Tzvi Langermann

Turnhout, Belgium Brepols c2009

Localização: FFLCH - Fac. Fil. Let. e Ciências Humanas    (181.947 A957 e.3 )(Acessar)

7
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Artigo
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Interfacial Structure and Chemistry of GaN on Ge(111)

Zhang, Siyuan ; Zhang, Yucheng ; Cui, Ying ; Freysoldt, Christoph ; Neugebauer, Joerg ; Lieten, Ruben R ; Barnard, Jonathan S ; Humphreys, Colin J

Physical Review Letters, 2013, Vol.111(25), pp.256101-4 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

8
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Artigo
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Excitonic parameters of GaN studied by time-of-flight spectroscopy

V. Shubina, T ; A. Toropov, A ; Pozina, G ; P. Bergman, J ; M. Glazov, M ; Gippius, Nikolay A ; Disseix, Pierre ; Leymarie, Joël ; Gil, Bernard ; Monemar, Bo Gil, Bernard (Editor)

Applied Physics Letters, 12 September 2011, Vol.99, p.101108 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

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9
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Artigo
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Surfactant assisted growth of MgO films on GaN

Paisley, Elisibeth A ; Shelton, T C ; Mita, S ; Gaddy, Brian E ; Irving, D L ; Christen, Hans M ; Sitar, Z ; Biegalski, Michael D ; Maria, Jon Paul Oak Ridge National Lab. (Ornl), Oak Ridge, Tn (United States) (Corporate Author) ; Center for Nanophase Materials Sciences (Corporate Author)

Applied Physics Letters, 01 January 2012, Vol.101(9) [Periódico revisado por pares]

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10
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Artigo
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Gallium nitride grown by molecular beam epitaxy at low temperatures

Jeffries, A.M ; Ding, L ; Williams, J.J ; Williamson, T.L ; Hoffbauer, M.A ; Honsberg, C.B ; Bertoni, M.I

Thin Solid Films, 30 November 2017, Vol.642, pp.25-30 [Periódico revisado por pares]

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