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GaN and related materials
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Livro
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GaN and related materials

S. J Pearton

Amsterdam Gordon and Breach c1997

Localização: IF - Instituto de Física    (537.622 P362g )(Acessar)

2
Low-dimensional nitride semiconductors
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Livro
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Low-dimensional nitride semiconductors

B Gil (Bernard)

Oxford Oxford University Press 2002

Localização: IF - Instituto de Física    (621.38152 G463l )(Acessar)

3
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Artigo
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Multi-bands photoconductive response in AlGaN/GaN multiple quantum wells

Chen, G ; Rong, X ; Xu, F. J ; Tang, N ; Wang, X. Q ; Shen, B ; Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing ; Fu, K ; Zhang, B. S ; Hashimoto, H ; Yoshikawa, A ; Ge, W. K

Applied Physics Letters, 28 April 2014, Vol.104(17) [Periódico revisado por pares]

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4
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Artigo
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p-type GaN grown by phase shift epitaxy

Zhong, M ; Steckl, A. J ; Roberts, J ; Kong, W ; Brown, A. S

Applied Physics Letters, 06 January 2014, Vol.104(1) [Periódico revisado por pares]

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5
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Artigo
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AlGaN/GaN heterostructure prepared on a Si (110) substrate via pulsed sputtering

Watanabe, T ; Ohta, J ; Kondo, T ; Ohashi, M ; Ueno, K ; Kobayashi, A ; Fujioka, H ; Crest, Japan Science and Technology Corporation

Applied Physics Letters, 05 May 2014, Vol.104(18) [Periódico revisado por pares]

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6
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Artigo
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Investigation of buffer traps in AlGaN/GaN-on-Si devices by thermally stimulated current spectroscopy and back-gating measurement

Yang, Shu ; Zhou, Chunhua ; Jiang, Qimeng ; Chen, Kevin J ; Lu, Jianbiao ; Huang, Baoling

Applied Physics Letters, 06 January 2014, Vol.104(1) [Periódico revisado por pares]

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7
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Artigo
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Diffusion-driven and excitation-dependent recombination rate in blue InGaN/GaN quantum well structures

Aleksiejūnas, R ; Gelžinytė, K ; Nargelas, S ; Jarašiūnas, K ; Vengris, M ; Armour, E. A ; Byrnes, D. P ; Arif, R. A ; Lee, S. M ; Papasouliotis, G. D

Applied Physics Letters, 13 January 2014, Vol.104(2) [Periódico revisado por pares]

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8
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Artigo
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Reduced thermal resistance in AlGaN/GaN multi-mesa-channel high electron mobility transistors

Asubar, Joel T ; Yatabe, Zenji ; Hashizume, Tamotsu ; Japan Science and Technology Agency

Applied Physics Letters, 04 August 2014, Vol.105(5) [Periódico revisado por pares]

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9
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Artigo
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Self-annihilation of inversion domains by high energy defects in III-Nitrides

Koukoula, T ; Kioseoglou, J ; Kehagias, Th ; Komninou, Ph ; Ajagunna, A. O ; Georgakilas, A

Applied Physics Letters, 07 April 2014, Vol.104(14) [Periódico revisado por pares]

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10
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Artigo
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From Schottky to Ohmic graphene contacts to AlGaN/GaN heterostructures: Role of the AlGaN layer microstructure

Fisichella, G ; Department of Electronic Engineering, University of Catania, 95124 Catania ; Greco, G ; Roccaforte, F ; Giannazzo, F

Applied Physics Letters, 11 August 2014, Vol.105(6) [Periódico revisado por pares]

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