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1
Low-dimensional nitride semiconductors
Material Type:
Livro
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Low-dimensional nitride semiconductors

B Gil (Bernard)

Oxford Oxford University Press 2002

Localização: IF - Instituto de Física    (621.38152 G463l )(Acessar)

2
Gallium nitride (GaN)
Material Type:
Livro
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Gallium nitride (GaN)

Jacques I Pankove 1922-; T. D Moustakas

San Diego Academic Press 1998-

Localização: IF - Instituto de Física    (MS SS v.50 )(Acessar)

3
Group III nitride semiconductor compounds physics and applications
Material Type:
Livro
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Group III nitride semiconductor compounds physics and applications

B Gil (Bernard)

Oxford Clarendon Press New York Oxford University Press 1998

Localização: IF - Instituto de Física    (537.622 G463g )(Acessar)

4
The blue laser diode GaN based light emitters and lasers
Material Type:
Livro
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The blue laser diode GaN based light emitters and lasers

Shuji Nakamura 1954- Gerhard Fasol

Berlin Springer New York c1997

Localização: IF - Instituto de Física    (621.366 N163B )(Acessar)

5
The blue laser diode the complete story
Material Type:
Livro
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The blue laser diode the complete story

Shuji Nakamura 1954- S. J Pearton; Gerhard Fasol

Berlin Springer New York 2000

Localização: EPMT - Esc. Politécnica-Bib Eng Metal    (537.311.33 N145b2 )(Acessar)

6
Material Type:
Tese de Doutorado
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Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Oliveira, Glaura Caroena Azevedo De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2012-06-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

7
Material Type:
Artigo
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Third-order nonlinear spectrum of GaN under femtosecond-pulse excitation from the visible to the near infrared

Gustavo Foresto Brito de Almeida Sabrina Nicoleti Carvalho dos Santos; Jonathas de Paula Siqueira; Jessica Dipold; Tobias Voss; Cleber Renato Mendonça

Photonics Basel : MDPI v. 6, n. 2, p. 69-1-69-9, June 2019

Basel MDPI 2019

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD028903 )(Acessar)

8
Material Type:
Artigo
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Rare-earth impurities in gallium nitride: The role of the Hubbard potential

Caroena, G.; Justo Filho, João Francisco; Machado, W. V. M.; Assali, L. V. C. Universidade De São Paulo

DIAMOND AND RELATED MATERIALS, LAUSANNE, v. 27-28, n. 5, supl. 1, Part 1, pp. 64-67, JUL-AUG, 2012

ELSEVIER SCIENCE SA; LAUSANNE 2012

Acesso online

9
Material Type:
Artigo
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Crack-free GaN-based ultraviolet multiple quantum wells structures grown on AlN/2° misoriented sapphire template

Fan, X.M ; Bai, J.C ; Xu, S.R ; Zhang, J.C ; Li, P.X ; Peng, R.S ; Zhao, Y ; Du, J.J ; Shi, X.F ; Hao, Y

Thin Solid Films, 01 October 2018, Vol.663, pp.44-48 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

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10
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Artigo
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Improvement in light output intensity of InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diode by SiO 2/Si 3N 4 distributed Bragg reflectors and silver back mirror

Lei, Po-Hsun

Thin Solid Films, 2011, Vol.519(10), pp.3363-3367 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

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