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0059 Longitudinal measurement of work stressors in pregnancy
0059 Longitudinal measurement of work stressors in pregnancy
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0059 Longitudinal measurement of work stressors in pregnancy

Meyer, John D ; Warren, Nicholas ; Nichols, Ginger

Occupational and environmental medicine (London, England), 2014-06, Vol.71 (Suppl 1), p.A6-A6 [Periódico revisado por pares]

London: BMJ Publishing Group LTD

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2
0.1-[Formula Omitted] InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71-76 and 81-86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess
0.1-[Formula Omitted] InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71-76 and 81-86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess
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0.1-[Formula Omitted] InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71-76 and 81-86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess

Xu, Dong ; Chu, Kanin ; Diaz, Jose A ; Ashman, Michael D ; Komiak, J J ; Mt Pleasant, Louis M ; Vera, Alice ; Seekell, Philip ; Yang, Xiaoping ; Creamer, Carlton ; Nichols, K B ; Duh, K H George ; Smith, Phillip M ; Chao, P C ; Lin, Dong ; Ye, Peide D

IEEE transactions on electron devices, 2016-08, Vol.63 (8) [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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3
0.1- \mu \text Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivated InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for E-Band Power Amplifiers
0.1- \mu \text Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivated InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for E-Band Power Amplifiers
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0.1- \mu \text Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivated InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for E-Band Power Amplifiers

Dong Xu ; Chu, K. K. ; Diaz, J. A. ; Ashman, M. ; Komiak, J. J. ; Pleasant, L. Mt ; Creamer, C. ; Nichols, K. ; Duh, K. H. G. ; Smith, P. M. ; Chao, P. C. ; Dong, L. ; Ye, Peide D.

IEEE electron device letters, 2015-05, Vol.36 (5), p.442-444 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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4
0.1- \mu \text InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71-76 and 81-86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess
0.1- \mu \text InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71-76 and 81-86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess
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0.1- \mu \text InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71-76 and 81-86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess

Dong Xu ; Kanin Chu ; Diaz, Jose A. ; Ashman, Michael D. ; Komiak, J. J. ; Mt Pleasant, Louis M. ; Vera, Alice ; Seekell, Philip ; Xiaoping Yang ; Creamer, Carlton ; Nichols, K. B. ; Duh, K. H. George ; Smith, Phillip M. ; Chao, P. C. ; Lin Dong ; Ye, Peide D.

IEEE transactions on electron devices, 2016-08, Vol.63 (8), p.3076-3083 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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5
0.2-[Formula Omitted] AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition [Formula Omitted] Passivation
0.2-[Formula Omitted] AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition [Formula Omitted] Passivation
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0.2-[Formula Omitted] AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition [Formula Omitted] Passivation

Xu, Dong ; Chu, Kanin ; Diaz, Jose ; Zhu, Wenhua ; Roy, Richard ; Pleasant, Louis Mt ; Nichols, Kirby ; Chao, Pane-Chane ; Xu, Min ; Ye, Peide D

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.744 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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6
0.2- \mu AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Passivation
0.2- \mu AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Passivation
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0.2- \mu AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Passivation

Xu, Dong ; Chu, Kanin ; Diaz, Jose ; Zhu, Wenhua ; Roy, Richard ; Pleasant, Louis Mt ; Nichols, Kirby ; Chao, Pane-Chane ; Xu, Min ; Ye, Peide D.

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.744-746 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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0.2- mu m AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al 2 O 3 Passivation
0.2- mu m AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al 2 O 3 Passivation
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0.2- mu m AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al 2 O 3 Passivation

Xu, Dong ; Chu, Kanin ; Diaz, Jose ; Zhu, Wenhua ; Roy, Richard ; Pleasant, Louis Mt ; Nichols, Kirby ; Chao, Pane-Chane ; Xu, Min ; Ye, Peide D

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.744-746 [Periódico revisado por pares]

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8
0.2-μm AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation
0.2-μm AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation
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0.2-μm AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation

DONG XU ; KANIN CHU ; DIAZ, Jose ; WENHUA ZHU ; ROY, Richard ; PLEASANT, Louis Mt ; NICHOLS, Kirby ; CHAO, Pane-Chane ; MIN XU ; YE, Peide D

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.744-746 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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9
020 Southern Section Extension Forum: strengthening Extension programs across the Southeast
020 Southern Section Extension Forum: strengthening Extension programs across the Southeast
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020 Southern Section Extension Forum: strengthening Extension programs across the Southeast

Karisch, B. B. ; Gadberry, M. S. ; Mullenix, M. K. ; Nichols, B. M. ; Holland, C. M. ; Fernandez, D. L. ; Hancock, D. ; Vendramini, J. M. B.

Journal of animal science, 2016-02, Vol.94 (suppl_1), p.10-10 [Periódico revisado por pares]

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10
0426 Time Restricted Feeding Consolidates Sleep in the BACHD Mouse Model of Huntington’s Disease
0426 Time Restricted Feeding Consolidates Sleep in the BACHD Mouse Model of Huntington’s Disease
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0426 Time Restricted Feeding Consolidates Sleep in the BACHD Mouse Model of Huntington’s Disease

Nichols, I S ; Chiem, E ; Tahara, Y ; Anderson, S ; Trotter, D ; Whittaker, D ; Ghiani, C ; Colwell, C ; Paul, K

Sleep (New York, N.Y.), 2020-05, Vol.43 (Supplement_1), p.A163-A163 [Periódico revisado por pares]

US: Oxford University Press

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  1. Nichols, D
  2. Ford, J
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