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Tunability of Parasitic Channel in Gate-All-Around Stacked Nanosheets
Tunability of Parasitic Channel in Gate-All-Around Stacked Nanosheets
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Tunability of Parasitic Channel in Gate-All-Around Stacked Nanosheets

Barraud, S. ; Previtali, B. ; Lapras, V. ; Vizioz, C. ; Hartmann, J.-M. ; Martinie, S. ; Lacord, J. ; Casse, M. ; Dourthe, L. ; Loup, V. ; Romano, G. ; Rambal, N. ; Chalupa, Z. ; Bernier, N. ; Audoit, G. ; Jannaud, A. ; Delaye, V. ; Balan, V. ; Rozeau, O. ; Ernst, T. ; Vinet, M.

2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2018, p.21.3.1-21.3.4

IEEE

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2
Single-mode waveguides for GRAVITY I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner
Single-mode waveguides for GRAVITY I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner
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Single-mode waveguides for GRAVITY I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner

Perraut, K ; Jocou, L ; Berger, JP ; Chabli, A ; Cardin, V ; Chamiot-Maitral, G ; Delboulbe, A ; Eisenhauer, F ; Gamberini, Y ; Gillessen, S ; Guieu, S ; Guerrero, J ; Haug, M ; Hausmann, F ; Joulain, F ; Kervella, P ; Labeye, P ; Lacour, S ; Lanthermann, C ; Lapras, V ; Le Bouquin, JB ; Lippa, M ; Magnard, Y ; Moulin, T ; Noel, P ; Nolot, A ; Patru, F ; Perrin, G ; Pfuhl, O ; Pocas, S ; Poulain, S ; Scibetta, C ; Stadler, E ; Templier, R ; Ventura, N ; Vizioz, C ; Amorim, A ; Brandner, W ; Straubmeier, C

ASTRONOMY & ASTROPHYSICS, 2018-06, Vol.614 [Periódico revisado por pares]

EDP SCIENCES S A

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3
Single-mode waveguides for GRAVITY
Single-mode waveguides for GRAVITY
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Single-mode waveguides for GRAVITY

Perraut, K. ; Jocou, L. ; Berger, J. P. ; Chabli, A. ; Cardin, V. ; Chamiot-Maitral, G. ; Delboulbé, A. ; Eisenhauer, F. ; Gambérini, Y. ; Gillessen, S. ; Guieu, S. ; Guerrero, J. ; Haug, M. ; Hausmann, F. ; Joulain, F. ; Kervella, P. ; Labeye, P. ; Lacour, S. ; Lanthermann, C. ; Lapras, V. ; Le Bouquin, J. B. ; Lippa, M. ; Magnard, Y. ; Moulin, T. ; Noël, P. ; Nolot, A. ; Patru, F. ; Perrin, G. ; Pfuhl, O. ; Pocas, S. ; Poulain, S. ; Scibetta, C. ; Stadler, E. ; Templier, R. ; Ventura, N. ; Vizioz, C. ; Amorim, A. ; Brandner, W. ; Straubmeier, C.

Astronomy and astrophysics (Berlin), 2018-06, Vol.614 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: EDP Sciences

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4
Single-mode waveguides for GRAVITY: I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner
Single-mode waveguides for GRAVITY: I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner
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Single-mode waveguides for GRAVITY: I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combiner

Perraut, K. ; Jocou, L. ; Berger, J. P. ; Chabli, A. ; Cardin, V. ; Chamiot-Maitral, G. ; Delboulbé, A. ; Eisenhauer, F. ; Gambérini, Y. ; Gillessen, S. ; Guieu, S. ; Guerrero, J. ; Haug, M. ; Hausmann, F. ; Joulain, F. ; Kervella, P. ; Labeye, P. ; Lacour, S. ; Lanthermann, C. ; Lapras, V. ; Le Bouquin, J. B. ; Lippa, M. ; Magnard, Y. ; Moulin, T. ; Noël, P. ; Nolot, A. ; Patru, F. ; Perrin, G. ; Pfuhl, O. ; Pocas, S. ; Poulain, S. ; Scibetta, C. ; Stadler, E. ; Templier, R. ; Ventura, N. ; Vizioz, C. ; Amorim, A. ; Brandner, W. ; Straubmeier, C.

Astronomy and astrophysics (Berlin), 2018-06, Vol.614, p.A70 [Periódico revisado por pares]

EDP Sciences

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5
High performance low temperature FinFET with DSPER, gate last and Self Aligned Contact for 3D sequential mtegration
High performance low temperature FinFET with DSPER, gate last and Self Aligned Contact for 3D sequential mtegration
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High performance low temperature FinFET with DSPER, gate last and Self Aligned Contact for 3D sequential mtegration

Micout, J. ; Lapras, V. ; Batude, P. ; Fenouillet-Beranger, C. ; Lacord, J. ; Sklenard, B. ; Mathieu, B. ; Rafhay, Q. ; Mazzocchi, V. ; Colinge, J.-P ; Lachal, L. ; Garros, X. ; Casse, M. ; Toffoli, A. ; Romano, G. ; Allain, F. ; Brunet, L. ; Hartmann, J.-M ; Bortolin, R. ; Mazen, F. ; Barraud, S. ; Rambal, N. ; Tabone, C. ; Samson, M.-P ; Besombes, P. ; Delaye, V. ; Saghi, Z. ; Loup, V. ; Comboroure, C. ; Balan, V. ; Desvoivres, L. ; Vizioz, C. ; Ghibaudo, G. ; Vinet, M.

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017, p.32.2.1-32.2.4

IEEE

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3D Sequential Integration: Application-driven technological achievements and guidelines
3D Sequential Integration: Application-driven technological achievements and guidelines
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3D Sequential Integration: Application-driven technological achievements and guidelines

Batude, P. ; Brunet, L. ; Fenouillet-Beranger, C. ; Andrieu, F. ; Colinge, J.-P ; Lattard, D. ; Vianello, E. ; Thuries, S. ; Billoint, O. ; Vivet, P. ; Santos, C. ; Mathieu, B. ; Sklenard, B. ; Lu, C.-M V. ; Micout, J. ; Deprat, F. ; Mercado, E. Avelar ; Ponthenier, F. ; Rambal, N. ; Samson, M.-P ; Casse, M. ; Hentz, S. ; Arcamone, J. ; Sicard, G. ; Hutin, L. ; Pasini, L. ; Ayres, A. ; Rozeau, O. ; Berthelon, R. ; Nemouchi, F. ; Rodriguez, P. ; Pin, J.-B ; Larmagnac, D. ; Duboust, A. ; Ripoche, V. ; Barraud, S. ; Allouti, N. ; Barnola, S. ; Vizioz, C. ; Hartmann, J.-M ; Kerdiles, S. ; Alba, P. Acosta ; Beaurepaire, S. ; Beugin, V. ; Fournel, F. ; Besson, P. ; Loup, V. ; Gassilloud, R. ; Martin, F. ; Garros, X. ; Mazen, F. ; Previtali, B. ; Euvrard-Colnat, C. ; Balan, V. ; Comboroure, C. ; Zussy, M. ; Mazzocchi ; Faynot, O. ; Vinet, M.

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017, p.3.1.1-3.1.4

IEEE

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7
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
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Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices

Cipro, R. ; Baron, T. ; Martin, M. ; Moeyaert, J. ; David, S. ; Gorbenko, V. ; Bassani, F. ; Bogumilowicz, Y. ; Barnes, J. ; Rochat, N. ; Loup, V. ; Vizioz, C. ; Allouti, N. ; Chauvin, Nicolas ; Bao, X. ; Ye, Z. ; Pin, J. ; Sanchez, E.

Applied physics letters, 2014-07, Vol.104 (26) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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8
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices

Cipro, R. ; Baron, T. ; Martin, M. ; Moeyaert, J. ; David, S. ; Gorbenko, V. ; Bassani, F. ; Bogumilowicz, Y. ; Barnes, J. P. ; Rochat, N. ; Loup, V. ; Vizioz, C. ; Allouti, N. ; Chauvin, N. ; Bao, X. Y. ; Ye, Z. ; Pin, J. B. ; Sanchez, E.

Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Intérêt de la pupillométrie automatisée dans l’évaluation de la pression intracrânienne du cérébrolésé
Intérêt de la pupillométrie automatisée dans l’évaluation de la pression intracrânienne du cérébrolésé
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Intérêt de la pupillométrie automatisée dans l’évaluation de la pression intracrânienne du cérébrolésé

Tartière, D. ; Vizioz, E. ; Le Maguet, P. ; Mallédant, Y. ; Seguin, P. ; Beloeil, H.

Annales françaises d'anesthésie et de réanimation, 2013-09, Vol.32, p.A120-A120

Elsevier SAS

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10
Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)
Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)

Ernst, T. ; Barraud, S. ; Tachi, K. ; Vizioz, C. ; Magis, T. ; Brianceau, P. ; Hubert, A. ; Vulliet, N. ; Hartmann, J.-M. ; Cassé, M.

Microelectronic engineering, 2011-07, Vol.88 (7), p.1198-1202 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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