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1
0.1-µm Gate-length pseudomorphic HEMT's
0.1-µm Gate-length pseudomorphic HEMT's
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0.1-µm Gate-length pseudomorphic HEMT's

Chao, P.C. ; Tiberio, R.C. ; Duh, K.-H.G. ; Smith, P.M. ; Ballingall, J.M. ; Lester, L.F. ; Lee, B.R. ; Jabra, A. ; Gifford, G.G.

IEEE electron device letters, 1987-10, Vol.8 (10), p.489-491 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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2
0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s
0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-mu m Gate-length pseudomorphic HEMT' s

Chao, P C ; Tiberio, R C ; Duh, K-H G ; Smith, P M ; Ballingall, J M ; Lester, L F ; Lee, B R ; Jabra, A ; Gifford, G G

IEEE electron device letters, 1987-10, Vol.8 (10), p.489-491 [Periódico revisado por pares]

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3
0.1 Reactive gas measurements at the Cape Verde Atmospheric Observatory
0.1 Reactive gas measurements at the Cape Verde Atmospheric Observatory
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 Reactive gas measurements at the Cape Verde Atmospheric Observatory

Read, K ; Carpenter, L ; Lewis, A ; Lee, J ; Hopkins, J ; Mendes, L ; Pilling, M ; Plane, J ; Mahajan, A ; Saiz-Lopez, A

Geophysical research abstracts, 2007-01

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4
0.1-μm gate-length pseudomorphic HEMT's
0.1-μm gate-length pseudomorphic HEMT's
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-μm gate-length pseudomorphic HEMT's

CHAO, P. C ; TIBERIO, R. C ; DUH, K.-H. G ; SMITH, P. M ; BALLINGALL, J. M ; LESTER, L. F ; LEE, B. R ; JABRA, A ; GIFFORD, G. G

IEEE electron device letters, 1987, Vol.8 (10), p.489-491 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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5
0.1 μm In02Al08Sb-InAs HEMT low-noise amplifiers for ultralow-power applications
0.1 μm In02Al08Sb-InAs HEMT low-noise amplifiers for ultralow-power applications
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm In02Al08Sb-InAs HEMT low-noise amplifiers for ultralow-power applications

Chou, C. ; Lange, M.D. ; Bennett, B.R. ; Boos, J.B. ; Yang, J.M. ; Papanicolaou, N.A. ; Lin, C.H. ; Lee, L.J. ; Nam, P.S. ; Gutierrez, A.L. ; Farkas, D.S. ; Tsai, R.S. ; Wojtowicz, M. ; Chin, T.P. ; Oki, A.K.

2007 IEEE International Electron Devices Meeting, 2007, p.617-620

IEEE

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6
0.15 /spl mu/m InGaAs/AlGaAs/GaAs HEMT production process for high performance and high yield V-band power MMICs
0.15 /spl mu/m InGaAs/AlGaAs/GaAs HEMT production process for high performance and high yield V-band power MMICs
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.15 /spl mu/m InGaAs/AlGaAs/GaAs HEMT production process for high performance and high yield V-band power MMICs

Lai, R. ; Biedenbender, M. ; Lee, J. ; Tan, K. ; Streit, D. ; Liu, P.H. ; Hoppe, M. ; Allen, B.

GaAs IC Symposium IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium 17th Annual Technical Digest 1995, 1995, p.105-108

IEEE

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7
0.15 μm gate length MHEMT technology for 77GHz automotive radar applications
0.15 μm gate length MHEMT technology for 77GHz automotive radar applications
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.15 μm gate length MHEMT technology for 77GHz automotive radar applications

JIN HEE LEE ; HYUNG SUP YOON ; JAE YEOB SHIM ; JU YEON HONG ; DONG MIN KANG ; HAE CHEON KIM ; KYUNG IK CHO ; KYUNG HO LEE ; BOO WOO KIM

Piscataway NJ: IEEE 2004

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8
0.18 MG FLUOCINOLONE ACETONIDE INSERT FOR THE TREATMENT OF CHRONIC POSTOPERATIVE PSEUDOPHAKIC CYSTOID MACULAR EDEMA
0.18 MG FLUOCINOLONE ACETONIDE INSERT FOR THE TREATMENT OF CHRONIC POSTOPERATIVE PSEUDOPHAKIC CYSTOID MACULAR EDEMA
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 MG FLUOCINOLONE ACETONIDE INSERT FOR THE TREATMENT OF CHRONIC POSTOPERATIVE PSEUDOPHAKIC CYSTOID MACULAR EDEMA

Deaner, Jordan D ; Mammo, Danny ; Gross, Andrew ; Lee, Terry ; Sharma, Sumit ; Srivastava, Sunil K ; Jaffe, Glenn J ; Grewal, Dilraj S

Retina (Philadelphia, Pa.), 2023-06, Vol.43 (6), p.897-904 [Periódico revisado por pares]

United States

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9
0.18 mu m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
0.18 mu m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 mu m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development

Xuan, K ; Tsang, K F ; Lee, W C ; Lee, S C

Electronics letters, 2010-01, Vol.46 (1), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

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10
0.18 [mu]m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
0.18 [mu]m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 [mu]m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development

Xuan, K ; Tsang, K F ; Lee, W C ; Lee, S C

Electronics letters, 2010-01, Vol.46 (1), p.1 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering & Technology

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Autor/Criador 

  1. Lee, I  (819)
  2. Penning, T  (784)
  3. Lapczynski, A  (784)
  4. Moustakas, H  (784)
  5. Cancellieri, M  (784)
  6. Burton Jr, G  (784)
  7. Lavelle, M  (784)
  8. Ritacco, G  (784)
  9. Jones, L  (784)
  10. Joshi, K  (784)
  11. Bruze, M  (784)
  12. Api, A  (784)
  13. Dekant, W  (784)
  14. Sadekar, N  (784)
  15. Fryer, A  (784)
  16. Dagli, M  (784)
  17. Tokura, Y  (783)
  18. Belsito, D  (783)
  19. Deodhar, C  (783)
  20. Schultz, T  (783)
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Data de Publicação 

De até
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  1. Antes de1959  (795)
  2. 1959Até1974  (4.179)
  3. 1975Até1990  (21.073)
  4. 1991Até2007  (131.026)
  5. Após 2007  (145.210)
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Idioma 

  1. Inglês  (292.357)
  2. Japonês  (33.313)
  3. Coreano  (7.085)
  4. Chinês  (633)
  5. Alemão  (529)
  6. Francês  (230)
  7. Norueguês  (220)
  8. Russo  (206)
  9. Português  (196)
  10. Espanhol  (96)
  11. Italiano  (12)
  12. Dinamarquês  (10)
  13. Polonês  (9)
  14. Holandês  (8)
  15. Eslovaco  (3)
  16. Indeterminado  (3)
  17. Tcheco  (3)
  18. Vários idiomas  (3)
  19. Mandar  (3)
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  2. Penning, T
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